注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. VCSEL激光光源在网络中的应用

  2. 和传统的激光光源器件相比，VCSEL 激光光源有很多优势。在晶片上的制造效率很高；可以使用标准的制造方法和其它元件一起制造(不需要预先制造)；封装以及测试都是在晶片上完成；传输速度高且耗能低，受温度影响小。总之VCSEL 是一种性能好且制造成本低(价格便宜)的新型激光光源。基于VCSEL 光源的优点，它得到了越来越广泛的应用，特别是在千兆网中的应用。目前很多网络的互连设备，如交换机和路由器，都可以提供VCSEL 光源的端口，从而使路由器和交换机的价格下降。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：71680
    • 提供者：weixin_38709139

  1. 模拟技术中的VCSEL驱动器/带数字诊断后置放大器—PHY1070

  2. 该PHY1070 - 01是一种结合VCSEL驱动器和限幅内的数字为小尺寸模块使用光纤通道应用诊断监测支持放大器。发送器集成了一个可编程的偏置电流和调制电流通过2线串行接口控制，高速输出级。 ，平均功率控制回路允许在双方共同阴极和共阳极配置连接。一个丢失信号丢失(LOS)检测器是包含在检测的基础上无论是接收器光电探测器平均电流或接收信号调制幅度。当处于模式数字诊断使用，集成了A / D转换器测量温度，发射偏置，电源电压，接收信号强度，平均权力是通过2线串行接口读取。外部微控制器单元(MCU)是用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：44032
    • 提供者：weixin_38663193

  1. 模拟技术中的MAX3798：完全集成的低功耗SFP+限幅放大器和VCSEL驱动器

  2. MAX3798为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器，设计用于数据传输率高达8.5Gbps的1倍/2倍/4倍/8倍光纤通道传输系统以及数据传输速率10.3125Gbps的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电，这款低功耗、集成限幅放大器和VCSEL驱动器IC为SFP MSA以及基于SFP+ MSA的光收发器建立了一个设计平台。高灵敏度限幅放大器将跨导放大器产生的差分输入信号限制在CML电平的差分输出。结构紧凑的VCSEL驱动器为VCSEL二极管提供调制电流和偏置电流。平均光

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：124928
    • 提供者：weixin_38655484

  1. 模拟技术中的Maxim推单芯片VCSEL驱动器和限幅放大器

  2. Maxim 推出单芯片VCSEL驱动器和限幅放大器方案MAX3798，用于SFP+光纤通道和以太网。该器件采用Maxim的MBIC3集成电路工艺制造，工作速率大于10Gbps、具有多种接收器和发送器可编程特性、且功耗仅为320mW。MAX3798集两种芯片的功能于一体，为光纤通道(1x/2x/4x /8x)和以太网10GBASE-SR传输系统提供低成本、低功耗方案，从而简化了模块制造商的收发器BOM。 　　3线数字接口提供多种可编程功能，以优化性能。可编程接收功能包括：数据速率、LOS门限、L

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：37888
    • 提供者：weixin_38733597

  1. Maxim推出针对SFP+以太网和光纤通道应用的单芯片VCSEL驱动器

  2. Maxim推出针对SFP+以太网和光纤通道应用的单芯片VCSEL驱动器和双通道限幅放大器方案MAX3799。器件采用Maxim的 MBiC3 IC制造技术，具有高达14Gbps的性能以及多种可编程的接收器和发送器特性，功耗仅为320mW。MAX3799将两种芯片功能集成到单个芯片内，可为以太网1000BASE-SR/10GBASE-SR和2x/4x/8x/16x光纤通道收发系统提供经过优化的低成本、低功耗方案，简化了模块制造商的收发器BOM。 　　MAX3799产品特性 　　实现单模块设

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：79872
    • 提供者：weixin_38693173

  1. 基础电子中的半导体VCSEL离子注入型

  2. 离子注入工艺就是用高能离子注入设各把具有一定能量的带电粒子掺入到半导体材料中，从而改变半导体材料的电学性质和光学性质。离子从上DBR处注入，与晶体内的电子和原子核发生碰撞，产生晶格空位，并通过自由载流子的补偿在周围形成高阻区，这样就可以使注入电流集中注入到有源区内，如图所示。 　　离子注入的能量是由离子的质量和注入深度要求所决定的。H＋，0＋，N＋和F＋都可以作为注入离子，其中应用最广泛的还是H＋。为了避免对有源区有过多的损伤，离子注入的深度一般都略高于量子阱的位置。 　　图所示的是一个详细

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：109568
    • 提供者：weixin_38604916

  1. 基础电子中的半导体VCSEL刻蚀空气柱型

  2. 对载流子进行横向限制，最简单的方法就是将器件的谐振腔及上DBR刻蚀成柱型结构，如图所示。最早的全半导体VCSEL就是采用的这种结构。为了除去谐振腔外层的材料，通常都采用湿法腐蚀或者干法腐蚀的工艺。在湿法腐蚀中，为了严格控制腐蚀的深度，通常采用较为温和的磷酸溶液作为腐蚀液，并且磷酸对GaAs和A1As的腐蚀没有选择性。按照一定的浓度配比，例如，H3P04：H2O2：H2O＝1∶1∶10，进行各向同性的湿法腐蚀。一般湿法腐蚀的腐蚀深度比较难控制，刻蚀后在柱的底部有凹槽，这限制了器件直径的进一步减小。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：89088
    • 提供者：weixin_38557838

  1. 基础电子中的几种典型的VCSEL结构

  2. VCSEL的性能很大程度上是由其外延结构和制作工艺决定的。例如，在VCSEL的发展过程中，研究人员一直在探索降低VCSEL阈值电流的方法，因此设计一个合理的结构及制作工艺来提高对载流子的横向限制就有着非常重要的意义。 　　VCSEL的基本结构，在此基础上人们又研制出一些具体的结构，可以对光子或电子进行横向限制，如图所示，分别为刻蚀空气柱型、离子注入型、再生长型和选择氧化型。这几种结构需要不同的制作技术并且具有不同的光电及热学特性。 　　图 几种能对光子或电子进行横向限制的VCSEL结构　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：104448
    • 提供者：weixin_38628310

  1. 基础电子中的VCSEL光腔的设计

  2. 在多对DBR结构中，若中间区域某一层的厚度偏离1／4个波长，则在该结构中会形成驻波。最简单的情况是将中间的间隔设定为半波长，这样可以与两边的DBR层一起，构成了一个小的F－P谐振腔。VCSEL的光腔厚度约为一个波长左右，如图所示。光腔中的有源层两边围着高带隙的包层。低带隙的有源层和高带隙的包层材料中的导带和价带的偏移，限制了载流子的移动。为了在谐振腔里提供光增益，制作多量子阱结构，F－P腔的光场最大值就在中心处。将量子阱位置与光场最大值处交叠，量子阱就可以提供最大的增益。例如，对应于发射波长65

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：84992
    • 提供者：weixin_38655496

  1. 基础电子中的VCSEL中反射镜的设计

  2. VCSEL中的DBR反射镜需要对光场进行纵向的限制。而且由于谐振腔长度较短，故反射损耗比较大，因此反射率必须要很高，最好能超过99％。如图1所示，DBR反射镜由1／4个波长厚度的高反射率和低反射率的介质材料交替组成。将多个这样的交替结构排列起来，所构成反射器的反射率就可以达到99％。 　　图1 腔长为1个波长的量子阱VCSEL结构 　　图2是一个典型的红外波段F－P腔结构VCSEL的计算反射率示意图。在反射谱中波长为850 nm处有一个下跌，正好在反射镜的高反射带的中间处，与光腔的谐振波

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：145408
    • 提供者：weixin_38532629

  1. 显示/光电技术中的VCSEL智能像素

  2. 垂直腔面发射激光器（Vertical－Cavity Surface－Emitting Laser，VCSEL）及其阵列是一种新型的半导体激光器，是光子学器件在集成化上的一项重大突破，它可以充分发挥光子的平行操作能力，在光互连、光通信、图像信号处理、模式识别和神经网络、激光打印、光存储读／写光源等领域具有广阔的应用前景。垂直腔面发射激光器与侧向出光的边发射激光器在结构上有着很大的不同，其输出光垂直于衬底。这种独特的器件结构易于实现二维平面阵列，小发散角和对称的远近场分布，使得其与光纤的耦合效率大为

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38572960

  1. 基础电子中的VCSEL的总体结构设计

  2. 图是垂直腔面发射激光器的结构示意图。其有源区由多量子阱组成，有源区上、下两边分别由多层1／4波长厚的高、低折射率交替的外延材料形成DBR，出射光方向可以是顶部或衬底，这主要取决于衬底材料对所发出的激射光是否透明及上、下DBR究竟哪一个取值更大一些。 　　图 垂直腔面发射激光器结构示意图 　　由于垂直腔面发射激光器的这种独特结构，使得研制高性能的VCSEL的关键在于以下几点： 　　（1）由于VCSEL的腔长较短，只有数个等效波长的量级，因而其相邻模式的间距很大，一般为几十纳米。这要求材料

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：102400
    • 提供者：weixin_38727798

  1. 基础电子中的垂直腔面发射激光器（VCSEL）

  2. VCSEL的基本工作原理与其他的半导体激光器相类似。都是通过将电流注入到有源区，并在有源区内提供足够的增益，才有光模式激发出来。VCSEL中光子的寿命只是略短于边发射激光器，与边发射激光器不同的是其极短的腔长及反射镜极高的反射率。本节主要对VCSEL相关内容进行介绍。 　　不过，一些在边发射激光器中应用的近似方法就无法在分析VCSEL的工作原理时继续使用，正是因为如此，才得以发现一些VCSEL与边发射激光器所不同的特点。比如，边发射激光器的轴向限制因子通常都是根据谐振腔的长度来近似计算的，但是

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38665944

  1. 基础电子中的半导体VCSEL选择氧化型

  2. 选择氧化技术最初是应用于边发射激光器领域中，后来才被引入到VCSEL的制作中，如图1所示。其原理是将高A1组分的A1，Ga；￣，As在350～500℃下与水汽反应生成化学性质稳定、绝缘性能良好且折射率低的氧化层。由于这种结构对光子和电子都能进行有效的横向限制，因此得到了广泛的关注。 　　图1 半导体VCSEL选择氧化型 　　构造选择氧化型VCSEL，要预先设计好氧化后各层的组成及分布情况，以此来决定氧化的速率，而且希望在邻近谐振腔的AlGaAs层上能够得到大的氧化范围，即小的氧化孔径，如

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：144384
    • 提供者：weixin_38624975

  1. 基础电子中的半导体VCSEL再生长型

  2. 制作折射率导引型结构的VCSEL，需要改变光腔周围的折射率。这可以通过刻蚀／再生长工艺来实现，其基本原理就是在光腔周围生成一个新的半导体材料（折射率也随之变化），起到光场的横向限制作用，如图所示。具体步骤为先制作刻蚀掩模（SiO2，SiNx），将光腔刻蚀成柱型，然后在刻蚀掉的地方通过再次外延工艺生长出新的材料。 　　刻蚀／再生长结构除了对出射光有着良好的限制作用外，还可以对注入电流进行有效的横向限制，并且钝化有源区的侧面及有着良好的热沉特性。然而，由于构成DBR的AlGaAs非常容易受到诸

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：114688
    • 提供者：weixin_38693173

  1. 通信与网络中的SEED智能像素与VCSEL智能像素比较

  2. SEED智能像素与VCSEL智能像素相比较，在设计灵活性方面，SEED智能像素具有优势，因为可用通过加大电源和光源功率来减小开关时间。SEED器件在智能像素中既用做光探测器，又用做光调制器，具有较好的多功能性。在高密度集成能力方面SEED智能像素具有更大的优势，目前已可将含有数干个SEED器件的芯片与大规模集成电路混合集成为一体，并且每个像素都具有光交换功能。另外，SEED智能像素还有一个优点是低功耗，因为SEED器件不需要电流驱动。在光学系统实现方面，VCSEL智能像素有较大的优势，因为它可以

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38552305

  1. 光注入VCSEL中的可重配置动态全光混沌逻辑运算

  2. 光注入VCSEL中的可重配置动态全光混沌逻辑运算

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-26
    • 文件大小：814080
    • 提供者：weixin_38715019

  1. 基于VCSEL的数字电子设备HPEM敏感性测试的在线状态监测和影响诊断方法

  2. 基于VCSEL的数字电子设备HPEM敏感性测试的在线状态监测和影响诊断方法

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38668243

  1. 基于相互耦合的VCSEL进行带宽增强的混沌信号注入的宽带混沌同步和通信

  2. 基于相互耦合的VCSEL进行带宽增强的混沌信号注入的宽带混沌同步和通信

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：621568
    • 提供者：weixin_38504089

  1. 模拟基于VCSEL的光学尖峰神经元的尖峰响应

  2. 模拟基于VCSEL的光学尖峰神经元的尖峰响应

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-08
    • 文件大小：336896
    • 提供者：weixin_38741966
« 12 3 4 5 6 7 8 9 10 »