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  1. 南京沁恒资料ch341 ch375

  2. CH372DSK.ZIP 2005-07-10 332KB 1.1 • CH372+MCU的U盘方案，适用于CH372或者CH375， 使用普通的MCS51单片机和SRAM或者串行EEPROM或者闪存 自行设计专用U盘或闪存盘。含源程序及相关技术规范文档， 正式应用建议参考小容量U盘控制芯片CH331的资料 -------------------------------------------------------------------------------- CH341EVT.ZIP

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-01-08
    • 文件大小：12582912
    • 提供者：annasummer

  1. 高级微控制器 AVR 32

  2. AVR32 AP7 应用处理器是专为各种计算密集应用而设计的高级片上系统解决方案。在时钟频率为150MHz、而电压为1.8V (1.4 DMIPS / MHz) 时，可提供210 Dhrystone MIPS (1.4 DMIPS / MHz) 的处理性能，操作功耗为75Ma (500uA/MHz)。此内核拥有内置的DSP、SIMD指令集、跳转预测和存储器管理单元(MMU)。此外，该器件可提供动态频率调整（Dynamic Frequency Scaling, DFS），可在四个片上时钟域 (C

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2012-04-03
    • 文件大小：187392
    • 提供者：wzp2379576

  1. STM32F10xxx参考手册

  2. 目录 1 文中的缩写 24 1.1 寄存器描述表中使用的缩写列表 24 1.2 术语表 24 1.3 可用的外设 24 2 存储器和总线构架 25 2.1 系统构架 25 2.2 存储器组织 27 2.3 存储器映像 28 2.3.1 嵌入式SRAM 29 2.3.2 位段 29 2.3.3 嵌入式闪存 30 2.4 启动配置 33 3 CRC计算单元(CRC) 34 3.1 CRC简介 34 3.2 CRC主要特性 34 3.3 CRC功能描述 34 3.4 CRC寄存器 35 3.4.1

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-10-17
    • 文件大小：12582912
    • 提供者：lhlvictory

  1. STM32中文参考手册

  2. 目录 STM32F10xxx参考手册 目录 1 文中的缩写 24 1.1 寄存器描述表中使用的缩写列表 24 1.2 术语表 24 1.3 可用的外设 24 2 存储器和总线构架 25 2.1 系统构架 25 2.2 存储器组织 27 2.3 存储器映像 28 2.3.1 嵌入式SRAM 29 2.3.2 位段 29 2.3.3 嵌入式闪存 30 2.4 启动配置 33 3 CRC计算单元(CRC) 34 3.1 CRC简介 34 3.2 CRC主要特性 34 3.3 CRC功能描述 34 3

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2014-02-28
    • 文件大小：16777216
    • 提供者：u010910604

  1. stm32中文参考手册

  2. 目录 stm32f10xxx参考手册 目录 1 文中的缩写 24 1 1 寄存器描述表中使用的缩写列表 24 1 2 术语表 24 1 3 可用的外设 24 2 存储器和总线构架 25 2 1 系统构架 25 2 2 存储器组织 27 2 3 存储器映像 28 2 3 1 嵌入式sram 29 2 3 2 位段 29 2 3 3 嵌入式闪存 30 2 4 启动配置 33 3 crc计算单元 crc 34 3 1 crc简介 34 3 2 crc主要特性 34 3 3 crc功能描述 34 3

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2014-06-08
    • 文件大小：16777216
    • 提供者：lhf0921

  1. 南京沁恒资料ch341 ch375

  2. CH372DSK.ZIP 2005-07-10 332KB 1.1 • CH372+MCU的U盘方案，适用于CH372或者CH375，使用普通的MCS51单片机和SRAM或者串行EEPROM或者闪存自行设计专用U盘或闪存盘。含源程序及相关技术规范文档，正式应用建议参考小容量U盘控制芯片CH331的资料 -------------------------------------------------------------------------------- CH341EVT.ZIP 200

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-08-22
    • 文件大小：12582912
    • 提供者：yulsan

  1. 完整CH375技术资料

  2. CH372DSK.ZIP 2005-07-10 332KB 1.1 • CH372+MCU的U盘方案，适用于CH372或者CH375， 使用普通的MCS51单片机和SRAM或者串行EEPROM或者闪存 自行设计专用U盘或闪存盘。含源程序及相关技术规范文档， 正式应用建议参考小容量U盘控制芯片CH331的资料 -------------------------------------------------------------------------------- CH341EVT.ZIP

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2008-11-15
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：meranda

  1. STM32F10xxx参考手册

  2. STM32F10xxx rev7v3参考手册. 南京万利提供的原始翻译文档. 本译文仅供参考，如有翻译错误，请以英文原稿为准。请读者随时注意在ST网站下载更新版本. 本译文仅供参考，如有翻译错误，请以英文原稿为准。请读者随时注意在ST网站下载更新版本 目录 1 文中的缩写 16 1.1 寄存器描述表中使用的缩写列表 16 1.2 术语表 16 1.3 可用的外设 16 2 存储器和总线构架 17 2.1 系统构架 17 2.2 存储器组织 18 2.3 存储器映像 19 2.3.1 嵌入式SR

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2009-04-13
    • 文件大小：6291456
    • 提供者：tyt_xa

  1. 计算机组成原理考研纲要

  2. 8.存储器的基本知识 (1)性能指标：存储容量、存取时间、存储周期、存储器带宽。 (2)存储介质主要为：半导体器件（内存）和磁性材料（外存） ①按存储介质分为磁表面存储器，半导体存储器，光存储器 (3)包括：主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器等。 (4)易失性RAM，非易失性ROM,FLASH（闪存） (5)多级存储体系结构：寄存器+高速缓冲存储器+主存储器+外存储器。即Cache+主存+辅存，以满足对存储系统的“容量大、速度快、成本低”要求 (6)ROM分为：ROM只读存储器、

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2018-07-17
    • 文件大小：252928
    • 提供者：destiny_forever

  1. 东软载波 ES7P003 Datasheet 中文手册

  2. 东软载波 ES7P003单片机的中文数据手册。ES7P003管脚兼容STM8S003、新唐N76E003，主要性能特点： 工作电压范围：2.3V ~ 5.5V  工作温度范围：-40 ~ 85℃  设计工艺及封装  低功耗、高速FLASH CMOS 工艺  20 个管脚，采用TSSOP封装  内核  ES7P RISC CPU内核  79 条精简指令  系统时钟工作频率最高为16MHz  指令周期为2个系统时钟周期  复位向量位于0000H，默认中断向量位于0004H 

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-03-21
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：wandtor

  1. Luminary Micro Stellaris系列LM3S301微控制器选型指南(周立功翻译).pdf

  2. Luminary Micro Stellaris系列LM3S301微控制器选型指南(周立功翻译)pdf,Luminary Micro Stellaris系列LM3S301微控制器选型指南(周立功翻译)第1章结构概述 第1章结构概述 Luminary micro Stellaris-M系列的微控制器是首款基于 ARM Cortex-M3的控制器, 它将咼性能的32位计算引入到对价格敏感的嵌入式微控制器应用中。这些堪称先锋的器件 拥有与8位和16位器件相同的价格,却能为用户提供32位器件的性能,而且

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-19
    • 文件大小：359424
    • 提供者：weixin_38743481

  1. EMB8502I工业控制板使用手册.pdf

  2. EMB8502I工业控制板使用手册pdf,EMB8502I工业控制板使用手册北京中嵌凌云电子有限公司 EMB8502|工业测控板使用手册 第—章.EMB850测控板功能简介 1.概述 ENB850江是北京中嵌凌云公司为工业测控而硏发的一款高性能工业测控板。本测控板采用美国 Sil abs公司的α8051F020作为核心控制器,指令集与MS51兼容,方便用户做二次开发。该测控板可以 使用户在设计初期省去许多硬件设计调试的麻烦,使之专注于软件开发,我们提供了模块化的底层硬 件驱动库文件,用户可直接应

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-14
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38744435

  1. Luminary Micro Stellaris系列LM3S801微控制器选型指南(周立功翻译).pdf

  2. Luminary Micro Stellaris系列LM3S801微控制器选型指南(周立功翻译)pdf,Luminary Micro Stellaris系列LM3S801微控制器选型指南(周立功翻译)第1章结构概述 第1章结构概述 Luminary micro Stellaris-M系列的微控制器是首款基于 ARM Cortex-M3的控制器, 它将咼性能的32位计算引入到对价格敏感的嵌入式微控制器应用中。这些堪称先锋的器件 拥有与8位和16位器件相同的价格,却能为用户提供32位器件的性能,而且

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-13
    • 文件大小：362496
    • 提供者：weixin_38743968

  1. 模电 数电 单片机笔试及面试问题.pdf

  2. 该文档包括数电、模电、单片机、计算机原理等笔试问题，还讲解了关于面试的问题该如何解答，对大家有一定的帮助电流放大就是只考虑输岀电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大 功率放大就是考虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已。 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-10-12
    • 文件大小：664576
    • 提供者：fromnewword

  1. SC92F8363.pdf

  2. 高速 1T 8051 内核 Flash MCU ，1 Kbytes SRAM ，8 Kbytes Flash，128 bytes 独立 EEPROM， 23通道可低功耗双模触控电路，12位ADC，六路10位PWM，3个定时器，乘除法器，UART， SSI ，Check Sum 校验模块高速 内核路双模触控 目录 总体描述 主要功能 系列产品命名规则 目录 管脚定义 管脚配置 管脚定义 内部方框图 和 结构 区域(用户烧写设置) 相关操作说明 内部 外部 特殊功能寄存器 映像 说明 内核常用特殊功

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：qq_35351713

  1. 双端口SRAM的写操作

  2. 图表示了双端口SRAM写操作的波形，从图形可知，也是同异步SRAM相同的操作。在该示例中，OE仍然无效，先确定R／W信号后，通过CE信号进行写入操作。图中CE0、CE1虽然同时发生变化，但也可以其中一个信号保持有效，另一个信号有效或者无效都行，可以在无效的时序中进行写人操作。 图  双端口SRAM的写周期 　　首先让CE有效，然后通过R／W进行写入的方法当然也是可以的，在这种情况下，是在R/W的上升沿进行写入操作的。 　　欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38737335

  1. 同步类型的双端口SRAM

  2. 作为同步双端口SRAM，我们以CY7C09199为例进行说明。CY7C09199与CY7C019相同，都是128K×9位结构的双端口存储器，其框图如图所示，由图可知，各个信号引脚都是利用时钟进行采样操作的。 　　图  CY7C09199的内部框图 　　其功能仍然是双端口存储器的功能，只是因为与时钟同步运行，所以不具各异步类型所拥有的仲裁机制。而且信号灯功能也被删除，取而代之的是增加了从最初所赋予的地址开始能够进行一系列读／写操作的计数器功能（Counter／Address Registe

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38574410

  1. 双端口SRAM中断功能

  2. 在利用双端口进行多个处理器间通信的情况下，为了传递开始处理请求以及结束的通知等信息，经常相互间中断某操作。CY7CO19就是为了这个目的而增加了中断功能。  　　说是中断功能，其实与已经描述过的写操作、读操作没有什么不同。  　　图是中断操作的示例。在该示例中，LEFT端口中断了RIGHT端口的操作。如果由LEFT端口向lFFFFh地址写人数据（数据为任意），则RIGHT端的INT输出有效（为低电平）。如果连接于RIGHT端的CPU等接收到该指令，由RIGHT端口读取iFFFFh地址，那么，IN

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38716872

  1. 同步双端口SRAM的读／写搡作

  2. 图中表示了存取操作中的一个例子，该示例中的操作是管道模式（FT／Pipe引脚为高电平）下的操作，它按照读／写／读这样的顺序进行存取。 　　图 同步双端口SRAM的存取操作示例 　　直流模式下的读／写操作，因为数据的输出是被一个个时钟前置的，所以在赋予地址的下一个时钟沿上确定数据。 　　首先，在最初的时钟上CE有效，器件处于被选择的状态。因为R／W为高电平，所以操作是读模式，而又因为ADS有效，因而将A0～A16作为所访问的地址进行提取。在这个例子中，是在下一个时钟中改变地址的，这只是希望

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：111616
    • 提供者：weixin_38582506

  1. 单向双端口SRAM的测试算法

  2. 引 言 　　单向双端口SRAM是一种专用的存储器，它具有独立的写地址总线和读地址总线，不仅可以实现单端口的读写，还可以对不同地址的存储单元进行同时读写操作，提高了SRAM的性能。本文分析了单向双端口SRAM的失效模式，并描述了相应的基于字的检测算法。 存储器模型 　　图1表示了3×3的单向双端口SRAM模块的结构示意图，输入为读地址总线、写地址总线和输入数据总线，输出为输出数据总线。每一个存储单元都有四个端口，分别是数据写入(BW)，数据读出(BR)，写地址端口(WA)和读地址端

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：220160
    • 提供者：weixin_38710198
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