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微电子封装技术
《微电子封装技术》比较全面、系统、深入地论述了在晶体管和集成电路(IC)发展的不同历史时期出现的典型微电子封装技术,着重论述了当前应用广泛的先进IC封装技术-QFP、BGA、CSP、FCB、MCM和3D封装技术,并指出了微电子封装技术今后的发展趋势。全书共分8章,内容包括:绪论;芯片互连技术;插装元器件的封装技术;表面安装元器件的封装技术;BGA和CSP的封装技术;多芯片组件(MCM);微电子封装的基板材料、介质材料、金属材料及基板制作技术;未来封装技术展望。书后还附有微电子封装技术所涉及的有
所属分类:
教育
发布日期:2012-10-28
文件大小:4194304
提供者:
xiaoyaoziyun
基于LTCC工艺的C波段平衡式低噪声放大器的设计
低温共烧陶瓷(LTCC,Low-Temperature Co-fired Ceramic)是一种应用在多芯片 组件(MCM)中具有高集成度的多层布线封装技术的共烧陶瓷。由于LTCC基板可以进行 将无源器件如电阻、电容、电感和部分电路如滤波器、功分器等内埋在里面,还可以 进行空腔等三维立体结构加工,这样的设计给传统的微波毫米波电路的集成与系统设 计提供了灵活的设计和实现方式。本文采用LTCC技术实现一种C波段平衡式低噪声 放大器。
所属分类:
专业指导
发布日期:2016-11-20
文件大小:7340032
提供者:
mayankai001
微电子封装技术
本书比较全面、系统、深入地论述了在晶体管和集成电路(IC)发展的不同历史时期出现的典型微电子封装技术,着重论述了当前应用广泛的先进IC封装技术——QDP、BGA、FCB、MCM和3D封装技术,并指出了微电子封装技术今后的发展趋势。 全书共分8章,内容包括:绪论;芯片互连技术;插装元器件的封装技术;表面安装元器件的封装技术;BGA和CSP的封装技术;多芯片组件(MCM);微电子封装的基板材料、介质材料、金属材料及基板制作技术;未来封装技术展望。书后还附有微电子封装技术所涉及的有关缩略语的中英文对
所属分类:
专业指导
发布日期:2019-03-01
文件大小:8388608
提供者:
qq_24961281
元器件应用中的MCM元件封装
为了适应目前电路组装高密度要求,芯片封装技术的发展正日新月异,各种新技术、新工艺层出不穷。最新出现的CSP更是使裸芯片尺寸与封装尺寸基本相近,这样在相同封装尺寸时可有更多的I/0数。使电路组装密度大幅度提高。 但是人们在应用中也发现。无论采用何种封装技术后的裸芯片,在封装后裸芯片的性能总是比未封装的要差一些。于是人们对传统的混合集成电路(HlC)进行彻底的改变.提出了多芯片组件(Multi Chip ModtJle,即MCM)这种先进的封装模式。它把几块IC芯片或CSP组装在一块电路板
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-18
文件大小:107520
提供者:
weixin_38624315
确好芯片KGD及其应用
龙 乐(龙泉长柏路98号1栋208室 四川 成都 610100)摘要:本文介绍了国际上确好芯片KGD技术的研发现状,以及在高密度多芯片封装中的应用。关键词:确好芯片;高密度封装中图分类号:TN305.94 文献标识码:A1 引言为适应摩尔定律的突飞猛进,微电子封装技术日新月异,高密度先进封装技术中的多芯片封装MCP、系统级封装SIP或SOP、多芯片组件MCM、板上芯片COB、芯片直接焊接系统DCA、可更换芯片组件RCM、层叠式管芯组装、分立器件复合化(阵列化)等封装成为发展热点,封装与芯片制造同
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-10
文件大小:152576
提供者:
weixin_38670983
一种低成本高密度的高速数模混合微系统集成
赵 静 ,李泽宏, 张 波,杨邦朝,翟向坤(电子科技大学微电子与固体电子学院,成都 610054) 摘要:提出了一种全金属管壳封装、双面布局/六层布线的叠层多芯片组件微系统结构, 以实现500MHz高速数模混合微系统集成,并借助SpecctraQuest软件仿真了基板上关键互连线的传输特性。 关键词:高速微系统集成;叠层多芯片组件;全金属封装;仿真 中图分类号:TP393 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(2002)12-0013-031 引言 多芯片组件(MCM: Multichi
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-09
文件大小:105472
提供者:
weixin_38748263
PCB技术中的MCM-D技术电热特性综述
(天水华天微电子有限公司,甘肃 天水 741000)摘 要:本文主要说明了淀积型多芯片组件(MCM-D)技术所使用的主要材料的热特性。此技术采用倒装片技术把硅芯片安装到硅基板上。阐述了薄膜电阻和接触电阻的测量与所使用金属的温度范围-28℃~100℃的比较。一套典型的试验结构诸如开尔文接触、横桥电阻(CBR)Van der Pauw结构不仅已用于此技术,而且为了测试通过球倒装片连接的接触电阻,采用一新的开尔文式结构。已获得MCM封装的热模型,并考虑由此类封装增加的所有的热电阻。关键词:凸点压焊,电
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-09
文件大小:89088
提供者:
weixin_38685608
便携式电子产品电路的封装趋势
摘 要:本文主要描述了便携式电子产品的封装趋势。趋势就是采用芯片级产品电路的MCM封装包括SIP和3D封装。这些芯片级产品可以以FC方式或COB方式安装在封装体中。 关键词: 便携式电子产品;芯片级产品;多芯片模块;封装 1 引言 IC封装就是通过一系列工艺过程和方法为集成电路芯片提供满意的电、机械和热性能环境。对于已封装的器件,人们称之为模块。随着封装技术的进步,出现了MCM(多芯片模块)的概念。多芯片模块,就是在一个封装体内安装了多个裸芯片和一些无源元件,从而构成
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-13
文件大小:136192
提供者:
weixin_38698590
多芯片组件(MCM)技术
摘 要: 本文概述了微电子封装技术的发展历史和多芯片组件(MulttchlpModule)技术的发展过程,介蛔了MCM技术的基本内容和发展现状,并分析预测了未来微电子封装的发展趋势。 关键词: 微电子封装;多芯片组件(MCM)技术 1 微电子封装的发展历史 在某种意义上,电子学近几十年的历史可以看作是逐渐小型化的历史,推动电子产品朝小型化过渡的主要动力是元器件和集成电路IC的微型化。随着微电子技术的发展,器件的速度和延迟时间等性能对器件之间的互连提出了更高的要求,
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-13
文件大小:115712
提供者:
weixin_38608873
确好芯片KGD的概述及其应用
摘要:本文介绍了国际上确好芯片KGD技术的研发现状,以及在高密度多芯片封装中的应用。 关键词:确好芯片;高密度封装 1 引言 为适应摩尔定律的突飞猛进,微电子封装技术日新月异,高密度先进封装技术中的多芯片封装MCP、系统级封装SIP或SOP、多芯片组件MCM、板上芯片COB、芯片直接焊接系统DCA、可更换芯片组件RCM、层叠式管芯组装、分立器件复合化(阵列化)等封装成为发展热点,封装与芯片制造同等重要。另一方面,芯片厂商始终与封装业密切合作,探索各种工艺流程及方法,提高产品质量,经多
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-13
文件大小:149504
提供者:
weixin_38598703
多芯片组件技术的发展及应用
摘要:多芯片组件技术(MCM)是现代组装技术的新概念,它的出现促进了SMT(表面贴装技术)与SMD(表面贴装元器件)的发展和革新,并将成为高密度、高性能、多功能封装的最佳选择。 为了适应目前电路组装高密度要求,微电子封装技术的发展日新月异,各种新技术、新工艺层出不穷。最新出现的CSP(芯片尺寸封装)使裸芯片尺寸与封装尺寸基本相近,这样在相同封装尺寸时有更多的I/O数,使电路组装密度大幅度提高。但是人们在应用中也发现,无论采用何种封装技术后的裸芯片,在封装后裸芯片的性能总是比未封装的要差一些。于
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-13
文件大小:110592
提供者:
weixin_38740328
多芯片组件技术
曾云,晏敏,魏晓云(湖南大学微电子研究所,湖南 长沙 410082)摘要:概述了微电子封装技术的发展历史和多芯片组件MCM技术的发展过程,介绍了MCM技术的特点、基本类型及其特性、三维多芯片组件和MCM的应用,并分析预测了未来微电子封装的发展趋势。关键词:微电子封装,多芯片组件技术中图分类号:TN405.94 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(2004)06-0038-031 引言在某种意义上,电子学近几十年的历史可以看作是逐渐小型化的历史,推动电子产品朝小型化过渡的主要动力是元器件
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-09
文件大小:109568
提供者:
weixin_38645379
光互连的研究与新进展
讨论了集成电路向高集成度、高工作频率和更小特征尺寸发展时,常规金属互连存在的问题以及光互连对大系统如多芯片组件(MCM)、单芯片系统(SOC)等互连时的潜在优势。介绍了光互连发展中的几种新技术,太位自由空间转换加速器网络(FAST-Net)、选择性重复填充转移光刻组装(PL-pack with SORT)、自组织光波网络(SOLNET)、质子纵深成形(DLP)及光互连性能优化(带宽、功耗等)的研究,最后给出光互连所面临的一些问题并展望了其发展前景。
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-05
文件大小:3145728
提供者:
weixin_38556822
MCM-D技术电热特性综述
(天水华天微电子有限公司,甘肃 天水 741000)摘 要:本文主要说明了淀积型多芯片组件(MCM-D)技术所使用的主要材料的热特性。此技术采用倒装片技术把硅芯片安装到硅基板上。阐述了薄膜电阻和接触电阻的测量与所使用金属的温度范围-28℃~100℃的比较。一套典型的试验结构诸如开尔文接触、横桥电阻(CBR)Van der Pauw结构不仅已用于此技术,而且为了测试通过球倒装片连接的接触电阻,采用一新的开尔文式结构。已获得MCM封装的热模型,并考虑由此类封装增加的所有的热电阻。关键词:凸点压焊,电
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:89088
提供者:
weixin_38686399