注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 微电子制造工艺讲义！！

  2. 里面介绍了：扩散 非光学光刻技术 光刻胶 光学光刻 刻蚀 离子注入 热氧化 真空科学和等离子体 等知识！！

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2009-11-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：bn813

  1. 微电子工艺

  2. 讲述了微电子学，如何进行光刻等过程，高科技的mems光技术。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-10-23
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：mobowei

  1. 通过调整曝光镜头改善产品线宽均匀度的研究.pdf

  2. 自问世以来的半个多世纪， 微电子和集成电路技术可谓发展神速， 其中光刻 技术的发展起到了重要推动作用。 而作为光刻技术发展的重要指标， 不断缩小的 关键尺寸则对如何改善产品线宽均匀度(Critical Dimension Uniformity， CDU) 等关 键参数提出了更高的要求。 光刻机焦平面偏差(Total Focus Deviation， TFD) 精度就 与产品线宽均匀度 CDU 的好坏有着紧密联系， 甚至会影响到产品的最小线宽。 因 此通过提高光刻机镜头的 TFD 精度， 可以达

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2019-10-04
    • 文件大小：12582912
    • 提供者：toryson

  1. 微电子光刻技术

  2. 超大规模集成电路工艺技术中的光刻技术，涵盖了光刻个方面的问题。

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2013-03-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：wangming056336

  1. 模拟技术中的射频源控制信号模拟器的设计与应用

  2. 摘要：熟悉微电子工艺设备的人都知道，射频源(RFGENERATER)是半导体工艺不可缺少的设备，其主要应用于等离子体干法刻蚀设备。　　　熟悉微电子工艺设备的人都知道，射频源(RFGENERATER)是半导体工艺不可缺少的设备，其主要应用于等离子体干法刻蚀设备。其原理是刻蚀气体(主要是F基和C1基的气体)通过气体流量控制系统通入反应腔室，在高频电场(频率通常为13.56MHz)作用下产生辉光放电，使气体分子或原子发生电离，形成等离子体(Plasma)。等离子体是包含足够多的正负电荷数目近于相等的带

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：166912
    • 提供者：weixin_38626943

  1. 显示/光电技术中的波导SOl光刻工艺特点

  2. 脊形光波导的尺寸主要是由光刻工艺决定的。光刻受周围环境、设备条件等影响较大；所以，要保证光刻工艺的质量，就需要对光刻有一个全面的认识。微电子工艺的关键尺寸（Critical Dimension）目前已经减小至65 nm，对于光波导来说已经绰绰有余了。然而对于一般的大截面脊型光波导的制作，只需采用成本较低的接触式曝光机，其分辨率一般为1 gm左右。而若制作光子线或光子晶体波导则需采用极紫外光刻机（一般波长为248 nm或193 nm），这时光学临近效应就显得重要了，通常需要较复杂的补偿技术。 　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：43008
    • 提供者：weixin_38597533

  1. 显示/光电技术中的基片的SOl背部刻蚀和键合

  2. 将两种亲水表面（如二氧化硅）紧密接触可以形成很强的键合。这种现象使BESOI法在20世纪70年代就发展起来了。 　　BESQI的制作分如下三个步骤：（1）氧化两个基片，为键合做准备；（2）化学键合两个氧化基片；（3）减薄其中一个基片。 　　键合化学法较复杂，这里就不详述了。在一般情况下，首先在室温下进行初步键合，然后再在1100℃的高温下增加键合强度。 　　硅片减薄有几种不同的工艺，最通常的是化学机械抛光（CMP），这是微电子领域广泛应用的一种基片平坦化方法。但其平坦度不高，通常表层硅为1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38747566

  1. 基础电子中的微电子技术的瞄准与定位技术

  2. 瞄准与定位是光学仪器的重要环节之一。随着微电子技术的应用，瞄准技术己由人眼瞄准向自动对准方向发展，既排除了人眼瞄准的主观误差，提高了仪器的瞄准精度，又使仪器限制，其最好精度也只能达到0.2～0.3 gm。随后发展起来的光电对准方法对标尺刻线像进行对准，不但提高了对准精度，而且使对准和测量自动化成为可能。光电对准的实质是：通过一定的光电转换系统，将被对准的线纹与一个选定的测量基线之间的位置关系用电信号来描述，然后以电信号的相位关系、幅度关系或脉冲的宽度比例等作为对准的依据。在对准系统中，通常利用聚

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：55296
    • 提供者：weixin_38620839

  1. 显示/光电技术中的光电所成功研制URE-2000/17型台式紫外深层光刻机

  2. 光电所成功研制URE-2000/17型台式紫外深层光刻机  　　近日，中国科学院光电技术研究所为适应市场需求，成功研发了一种URE-2000/17型台式紫外光刻机，并投入批量生产。 　　该产品采用200W直流高压汞灯(光能稳定性很高，汞灯寿命长)、双目双视场显微镜对准、球碗调平、单片机控制、触摸开关操作等，具有体积小、外形美观、性能可靠、操作方便、经济实用性强等特点，尤其适合高等院校和研究机构从事微电子技术、MEMS、声表器件、红外探测器、液晶等领域的科研、教学，以及生产企业用于小批量器件生产。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：33792
    • 提供者：weixin_38742951

  1. 应用于PHEMT器件的深亚微米T形栅光刻技术

  2. 谢常青，陈大鹏，李兵，叶甜春(中国科学院微电子中心，北京，100010)摘要：PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波／毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候，沿着栅宽方向的寄生电阻会影响PHEMT器件的性能。为了解决这个问题，一种具有大截面面积而底部长度却很小的T形栅结构通常被用于制作PHEMT器件，因为这种结构可以有效地减少由于栅寄生电阻而引起的晶体管噪声。对几种常用的制作深亚微米T形栅的三种光刻技术即光学光刻、电子束光刻、X射线光刻技术进行了比较分析。对于光

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：108544
    • 提供者：weixin_38721811

  1. IC制造工艺与光刻对准特性关系的研究

  2. (电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610054)摘 要：主要针对光刻对准特性，从单项工艺和工艺集成的角度，分析了影响光刻对准的各个主要因素，主要包括对准标记、工艺层、隔离技术等，提出了一些改善光刻对准效果的方法。 关键词：光刻对准；工艺层；集成电路；光刻工艺；隔离技术 中图分类号：305.7 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2005)06-0014-041 引言随着IC制造业的迅猛发展，光刻成像技术不断提高，芯片的特征尺寸也不断缩小，而关键尺寸的缩小则产生了更为精确的套

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：119808
    • 提供者：weixin_38522106

  1. PCB技术中的浅谈光刻胶在集成电路制造中的应用性能

  2. （电子科技大学 微电子与固体电子学院，成都 610054）摘 要：光刻胶技术是曝光技术中重要的组成部分,高性能的曝光工具需要有与之相配套的高性能的光刻胶才能真正获得高分辨率的加工能力。主要围绕光刻胶在集成电路制造中的应用，对其反应机理及应用性能指标进行阐述，重点从工艺的角度去提出新的研究方向。关键词：光刻胶；应用性能；反应机理；集成电路；光刻 中图分类号：TN305.7 文献标识码： A 文章编号：1003-353X(2005)06-0032-051 引言作为微电子技术核心的集成电路制造技术是电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：134144
    • 提供者：weixin_38717359

  1. 21世纪的硅微电子学

  2. 作者简介 王阳元，1935年生，微电子学家。浙江宁波人。1958年北京大学物理系毕业。北京大学微电子学研究所教授。中国科学院院士。　　摘　要　本文展望了21世纪微电子技术的发展趋势。认为： 21世纪初的微电子技术仍将以硅基CMOS电路为主流工艺，但将突破目前所谓的物理“限制”，继续快速发展；集成电路将逐步发展成为集成系统；微电子技术将与其它技术结合形成一系列新的增长点，例如微机电系统（MEMS）、DNA芯片等。具体地讲，SOC设计技术、超微细光刻技术、虚拟工厂技术、铜互连及低K互连绝缘介质、高K

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：179200
    • 提供者：weixin_38677585

  1. 纳米器件的一种新制造工艺——纳米压印术

  2. 梁迎新，王太宏（中国科学院物理研究所，北京100080）１引言自２０世纪６０年代以来，集成电路一直按照摩尔定律不断更新换代，即单个芯片中集成的晶体管数目每１８个月翻一番。随着电路中器件尺寸的不断变小，光学光刻技术将接近其物理极限。现今流行的光刻工艺中所用的紫外光波长为２５０ ｎｍ左右，要想制造比这一尺度的一半小得多的图形结构，衍射效应将使图形的各部分特征混在一起而模糊不清。在研究人员对光学光刻技术作了一系列艰难的改进后，线宽仅有７０ ｎｍ的复杂微电子结构也已制造出来。但是这种制造方法的费用非常昂

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：148480
    • 提供者：weixin_38587005

  1. 光掩模版行业报告：合成石英基板

  2. 光掩膜版一般也称光罩，是微电子制造中光刻工艺所使用的图形母版，由不透明的遮 光薄膜在透明基板上形成掩膜图形，并通过曝光将图形转印到产品基板上，是光刻工艺中 最重要的耗材之一。掩膜版作为模具，通过光刻技术将掩膜版上的电路图案复制到芯片或 液晶面板玻璃上，从而批量化生产集成电路或液晶面板等产品。光掩模版可按照组成与产品进行分类。光掩膜版主要由基板与遮光膜两部分组成，其 中基板可分为透明树脂基板和透明玻璃基板，透明树脂基板易于大型化，但是易变形，相 较而言玻璃基板更为常用，按照玻璃材质可细分为合成石英

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38708361

  1. 微电子工业中的激光器及激光加工机

  2. 1984年5~6月，作者有机会考察了美国旧金山及硅谷地区，并参观了规模宏大的半导体博览会，了解到美、日等国将先进的激光技术用于微电子工业，使其取得惊人进展。如80年代激光对准，激光对焦技术促进了分步重复光刻机的发展以及激光图形发生器的发明，使微电子工业进入超大规模集成电路时期。激光还广泛应用于掩模制造、光刻、腐蚀终点检测与硅片检查等各工艺及生产环节，并产生了各种激光加工机。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38691256

  1. “沟道激光器”有助于集成电路的改进

  2. 杭尼威耳公司技术中心的一个研究小组，将光发射器和检波器制作在蚀刻的沟道中，从而验证了将光学元件和集成电路制备到同一块半导体衬底上的可能性，他们制出的完整集成块，其性能和可靠性比分立的或混合的光电子器件和微电子器件好。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：661504
    • 提供者：weixin_38689736

  1. 基于同步辐射光刻工艺和电铸工艺的金属纳米光栅模具制备

  2. 随着微电子技术的发展，有必要研究在基板上制备高深宽比并拥有垂直侧壁的微纳结构。基于X射线可以制备高质量的纳米母光栅，利用精密纳米电铸技术从母光栅中复制出高质量的微纳金属光栅模具。研究了一种高深宽比的金属镍光栅模具的制备技术。基于同步辐射光刻技术，在硅基板上制备线宽分别为0.25，0.5，1 μm，高2.0 μm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)光栅。利用精密电铸技术，得到线宽分别为0.25，0.5，1 μm的金属镍纳米光栅模具，1 μm的金属光栅深宽比达1.5。为了获得高质量的PMMA纳米光栅母模，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38696590

  1. 应用于光子集成的硅基混合集成人工微结构硅波导输出激光器研究

  2. 目前，硅光子集成在光通信和信号处理、微电子系统的片内和片间互连领域成为研究热点。虽然其基础元件如波导、输入/输出(I/O)耦合器、波分复用器、调制器和光探测器性能达到了一定水平，但是硅光子集成回路仍面临挑战，原因是硅基激光光源的制作仍然是一个技术难题。综述了近年来硅基混合集成激光器的进展，介绍了课题组的研究成果。将微结构引入到硅基混合集成硅波导输出激光器中, 提出了新型的III-V/硅混合集成的微结构硅波导输出单模激光器。此新型激光器工作在通信波段。其中，InGaAlAs 增益结构是通过晶片直接

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：7340032
    • 提供者：weixin_38746293