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  1. 半导体测试各种项目简介

  2. 目录:www.2ic.cn#O/t'N:I6X 1, 测量可重复性和可复制性(GR&R) 2, 电气测试可信度(Electrical Test Confidence) 3, 电气测试的限值空间(Guardband):r1S/K4S%A7D)~!r 4, 电气测试参数 CPK半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA ,p
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2009-11-09
    • 文件大小:99328
    • 提供者:xiaoyuyu9172
  1. IC芯片的晶圆级射频(RF)测试

  2. 本文介绍的新的参数测试系统能够快速、准确、可重复地提取RF参数,几乎和DC测试一样容易。最重要的是,通过自动校准、去除处理(de- embedding)以及根据待测器件(DUT)特性进行参数提取,探针接触特性的自动调整,已经能够实现RF的完整测试。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-05
    • 文件大小:91136
    • 提供者:weixin_38656337
  1. IC芯片的晶圆级射频(RF)测试

  2. 对于超薄介质,由于存在大的漏电和非线性,通过标准I-V和C-V测试不能直接提取氧化层电容(Cox)。然而,使用高频电路模型则能够精确提取 这些参数。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-26
    • 文件大小:105472
    • 提供者:weixin_38627213
  1. 嵌入式系统/ARM技术中的英特尔CEO在2009IDF上展示首款22nm晶圆

  2. 9月24日消息,昨天在美国旧金山2009年秋季英特尔信息技术峰会(Intel Developer Forum, IDF)上,英特尔总裁兼首席执行官保罗·欧德宁(Paul Otellini)展示了世界上首款基于22纳米制程技术的芯片。             欧德宁展示世界上第一款基于22纳米制程技术可工作芯片的硅晶圆   ◆ 在处理器和其他逻辑芯片使用22纳米制程技术之前,SRAM作为测试平台证明了22纳米的技术性能、工艺良率和芯片可靠性。   ◆ 英特尔22纳米技术现在处于全速发展阶段,按既
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-21
    • 文件大小:83968
    • 提供者:weixin_38690407
  1. RFID技术中的IC芯片的晶圆级射频(RF)测试

  2. 对于超薄介质,由于存在大的漏电和非线性,通过标准I-V和C-V测试不能直接提取氧化层电容(Cox)。然而,使用高频电路模型则能够精确提取这些参数。随着业界迈向65nm及以下的节点,对于高性能/低成本数字电路,RF电路,以及模拟/数模混合电路中的器件,这方面的挑战也在增加。   减少使用RF技术的建议是在以下特定的假设下提出来: 假设RF技术不能有效地应用,尤其是在生产的环境下,这在过去的确一直是这种情况。   但是,现在新的参数测试系统能够快速、准确、可重复地提取RF参数,几乎和DC测试一样
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-19
    • 文件大小:106496
    • 提供者:weixin_38690017
  1. 一种新的晶圆级1/f噪声测量方法

  2. MOSFET在模拟和射频电路中得到了广泛的应用。但是,MOSFET中的低频噪声,尤其是较高频率的1/f噪声,是模拟和射频电路应用中人们关注的重要因素。此外,随着器件特征尺寸的缩小,1/f噪声会大大增加。因此,在测量1/f噪声时设计一套可靠的、重复性好的、精确的测量方法和系统是非常必要的。本文提出了一种新的可靠的晶圆级1/f噪声测量方法和相应的测试架构,能够测量低于100 Hz的低频1/f噪声。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-25
    • 文件大小:201728
    • 提供者:weixin_38688097
  1. 优化电缆连接技术改善晶圆上测量结果

  2. 完全分析所有材料和器件需要进行精密直流、交流阻抗以及超快I-V或脉冲I-V测量。将测试设备连接到半自动或手动探测台的复杂性会使晶圆上的准确测量变得更为复杂。本文分析了直流、多频电容、超快I-V和脉冲测试以及正确接地和屏蔽的重要性,为特定测量选择正确的互连方式,并排除常见的互连故障。   直流测量的电缆连接   了解预计的测量电平可以轻松地*估潜在误差源。为简单起见,我们假定所有被测信号既不是高电压(高于100V)也不是大电流(高于200mA)信号,误差源也分为3类:漏电流、静电干扰和力学作用
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-02
    • 文件大小:195584
    • 提供者:weixin_38603259
  1. PCB技术中的晶圆级CSP的返修完成之后的检查

  2. 返修之后可以对重新装配的元件进行检查测试,检查测试的方法包括非破坏性的检查方法,如目视、光 学显微镜、电子扫描显微镜、超声波扫描显微镜、X-Ray和一些破坏性的检查测试,如切片和染色实验、老 化和热循环测试,以及机械测试(推拉,跌落,振动,扭转和弯曲)等。例如,可以用X-Ray检查返修前后 焊点的情况,是否短路,在焊点内是否有空洞存在等。如图1所示。 图1 X-Ray检查返修前后的焊点   对焊点切片后,利用显微镜检查焊点内空洞的情形,检查其是否润湿良好等。如图2所示。 图2 对焊点切片检
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-13
    • 文件大小:87040
    • 提供者:weixin_38675506
  1. 智能卡的切割晶圆片

  2. 当器件在芯片上被测试后,下一步骤就是把它们分开。一张薄薄的自粘纸箔被贴在晶圆片的背面,使得在晶圆片被切割后各单个芯片仍保留在原有的位置上,锯片为25ftm厚而转速超过30 000rpm的特殊圆锯用来把晶圆片切割成小片,参见图1,图3。切割晶圆片后得到的每一块小硅片上保有一单个的微控制器,这些小硅片的最大面积为25rnm',被称为管芯或芯片。每个管芯上含有一个最终要嵌装到智能卡中去的微处理器。一旦晶圆片被切割成管芯,那些用颜色点标志的失效器件将从好器件中分离出来并被销毁。   到目前为止,还不能
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-14
    • 文件大小:187392
    • 提供者:weixin_38678394
  1. 智能卡在晶圆片上的芯片测试

  2. 在芯片制作完成后下一个生产工序,晶圆片上的微控制器用金属探针加以连接并进行测试。这需要对晶圆片上的700个微控制器中的每一个都做好连接(单个的或最多每8个为一组)然后进行电气功能测试。因为微控制器有不经常用的接点组,即使在生产阶段,也只有常用的5个触点作测试使用,参见图1。   然而,在晶圆片上的功能元件都要经受比完工后详尽而广泛得多的测试。因为,在这个阶段中微控制器仍处于测试模式。在测试模式时,可以对所有的存储器(RAM,ROM和EEPROM)读写而不受任何限制。任何在测试中失效的微控制器都
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-14
    • 文件大小:171008
    • 提供者:weixin_38748556
  1. 电子测量中的Cascade Microtech新型WinCal XE软件支持晶圆级RF测量

  2. 具有复杂多端口RF架构的无线消费类电子设备的激增已促使工程师在他们晶圆级RF器件上进行更困难、更复杂的RF测量。为简化这一流程,Cascade Microtech已扩展了其广受欢迎的WinCal校准软件的功能,包含了将提供更快速、更精确的晶圆级RF测量的关键功能。    晶圆测试市场中独一无二的WinCal XE将高级校准功能与RF高精度增强功能进行了完美结合。通过可将操作员错误降至最低且功能强大的新型测量支持工具及指导系统,WinCal XE可实现精确、可靠的RF测量,而解决了当今复杂半导体设
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-25
    • 文件大小:67584
    • 提供者:weixin_38590738
  1. FormFactor发表DRAM晶圆探针卡PH150XP

  2. FormFactor发表PH150XP晶圆探针卡,扩展其PH150系列DRAM晶圆测试产品的阵容。PH150XP探针卡提供多项良率与处理量提升的功能,让DRAM制造商能进一步降低整体测试成本。PH150XP探针卡样本已开始供应予各大内存领导制造商进行评估测试。     PH150XP能辅助FormFactor刚于一月推出的新款Harmony XP晶圆探测解决方案。Harmony XP探针卡是针对1GB与更高密度DRAM组件的全区域12寸晶圆所设计,而PH150XP则属低成本解决方案,专门探测
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-03
    • 文件大小:46080
    • 提供者:weixin_38552305
  1. 电子测量中的晶圆针测制程

  2. 经过Wafer Fab之制程後,晶圆上即形成一格格的小格 ,我们称之为晶方或是晶粒/芯片(Die/chip),在一般情形下,同一片晶圆上皆制作相同的晶片,但是也有可能在同一片晶圆 上制作不同规格的产品;这些晶圆必须通过晶片允收测试,晶粒将会一一经过针测(Probe)仪器(多探针测试台)以测试其电气特性,而不合格的的晶粒将会被标上记号(Ink Dot),此程序即 称之为晶圆针测制程(Wafer Probe)。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:23552
    • 提供者:weixin_38680811
  1. 晶圆测试

  2. 在晶圆制造完成之后,是一步非常重要的测试。这步测试是晶圆生产过程的成绩单。在测试过程中,每一个芯片的电性能力和电路机能都被检测到。晶圆测试也就是芯片测试(die sort)或晶圆电测(wafer sort)。 在测试时,晶圆被固定在真空吸力的卡盘上,并与很薄的探针电测器对准,同时探针与芯片的每一个焊接垫相接触(图4.18)。电测器在电源的驱动下测试电路并记录下结果。测试的数量、顺序和类型由计算机程序控制。测试机是自动化的,所以在探针电测器与第一片晶圆对准后(人工对准或使用自动视觉系统)的测试工作
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:47104
    • 提供者:weixin_38702844
  1. 晶圆术语

  2. 1. 器件或叫芯片(Chip, die, device, microchip, bar): 这个名词指的是在晶圆表面占大部分面积的微芯片掩膜。 2. 街区或锯切线(Scribe lines, saw lines, streets, avenues):在晶圆上用来分隔不同芯片之间的街区。街区通常是空白的, 但有些公司在街区内放置对准靶, 或测试的结构(见 ‘ Photomasking’ 一章)。 3. 工程试验芯片(Engineering die, test die):这些芯片与正式器件(或称电路
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:36864
    • 提供者:weixin_38595850
  1. 电子测量中的晶圆级可靠性测试成为器件和工艺开发的关键步骤

  2. 摘要  随着器件尺寸的持续减小,以及在器件的制造中不断使用新材料,对晶圆级可靠性测试的要求越来越高。在器件研发过程中这些发展也对可靠性测试和建模也提出了新的要求。为了满足这些挑战需要开发更快、更敏感、更具灵活性的可靠性测试工具。 随着集成电路技术的持续发展,芯片上将集成更多器件,芯片也将采用更快的时钟速度。在这些要求的推进下,器件的几何尺寸将不断缩减,并要求在芯片的制造工艺中并不断采用新材料和新技术。这些改进对于单个器件的寿命来说影响非常大,可能造成局部区域的脆性增加、功率密度提高、器件的复杂
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-13
    • 文件大小:121856
    • 提供者:weixin_38665122
  1. FormFactor发布Harmony晶圆级预烧探针卡

  2. FormFactor发表Harmony全区12寸晶圆针测解决方案的最新成员——Harmony晶圆级预烧(Wafer-Level Burn-In,WLBI)探针卡。 Harmony WLBI探针卡能提高作业流量,并且确保半导体元件的品质与可靠度。 Harmony WLBI探针卡一次能接触约4万个测试焊垫,还能在高温(最高130℃)下测试整片12寸晶圆。   Harmony WLBI探针卡结合各种电子元件以及新型3D MEMS MicroSpring接触器,能承受高温的预烧测试,降低清理次数
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-04
    • 文件大小:44032
    • 提供者:weixin_38628647
  1. 晶圆级商业化生产的TSV-RDL在线故障诊断系统和测试方法的研究

  2. 2013年前三季度,半导体行业目睹了12英寸TSV晶圆的大量增加,安装量已超过100万片。 尽管越来越受欢迎,但是由于Craft.io缺陷导致的成品率下降,TSV技术仍承受着高昂的成本。 绝缘不良和 连接性是TSV和RDL的主要问题(再分配线)结构:如果没有经济有效的测试系统和方法,有故障的TSV可能会堆叠到好的TSV上,从而导致芯片成本增加。提出了两步在线测试方法,以找出这些缺陷并筛选出晶圆上的KGD(已知良模),并建立了基于所提出技术的晶圆级故障诊断系统包括 探针台,分析仪
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-17
    • 文件大小:688128
    • 提供者:weixin_38699593
  1. ispd2021:这包含用于ISPD2021晶圆级物理建模竞赛的测试示例和验证工具-源码

  2. 2021 ISPD竞赛验证人/得分手 本自述文件记录了将用于2021 ISPD竞赛问题的验证器/评分器的信息:晶圆级物理建模 资料夹分类 目录结构如下: ispd2021 :根文件夹 docs :文档和相关文件的文件夹 schema.in :问题输入的文件格式说明 schema.out :解决方案输入的文件格式说明 Makefile :用于编译验证器的Makefile test.sh :运行测试套件和测试用例的脚本 test_gen :包含用于生成测试用例的脚本的文件夹 tests :包含测
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-09
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_42168230
  1. 半导体产品的加工过程主要包括晶圆制造和封装测试

  2. 半导体产品的加工过程主要包括晶圆制造(前道,Front-End)和封装(后道,Back-End)测试,随着先进封装技术的渗透,出现介于晶圆制造和封装之间的加工环节,称为中道(Middle-End)。由于半导体产品的加工工序多,所以在制造过程中需要大量的半导体设备和材料。
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2021-01-25
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:jfkj2021
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