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  1. 模电 数电 单片机笔试及面试问题.pdf

  2. 该文档包括数电、模电、单片机、计算机原理等笔试问题，还讲解了关于面试的问题该如何解答，对大家有一定的帮助电流放大就是只考虑输岀电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大 功率放大就是考虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已。 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-10-12
    • 文件大小：664576
    • 提供者：fromnewword

  1. 数字开关电源的设计与实现.pdf

  2. 数字开关电源的设计与实现pdf,数字开关电源的设计与实现广东工业大学硕士学位论文 Abstract Power is an important component of electronic equipment, electronic equipment directly affects the quality of the work, so more and more attention. with the power electronics industry, electronic equi

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weixin_38744207

  1. 压敏电阻的型号及选用方法.pdf

  2. 压敏电阻的型号及选用方法pdf,压敏电阻是一种以氧化锌为主要成份的金属氧化物半导体非线性电阻元件；电阻对电压较敏感，当电压达到一定数值时，电阻迅速导通。由于压敏电阻具有良好的非线特性、通流量大、残压水平低、动作快和无续流等特点。被广泛应用于电子设备防雷。压敏电阻用字母MY"表示,如加]为家用,后面的字母W、G、P、L、H、Z、B、C、N、K分别用于稳压 过压保护、高频电路、防雷、灭弧、消噪、补偿、消磁、高能或高可靠等方面。压敏电阻虽然能吸攻很大 的浪涌电能量,但不能承受毫安级以上的持续电流,在用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：261120
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 电源技术中的如何实现开关电源EMI控制？

  2. 开关电源是一种应用功率半导体器件并综合电力变换技术、电子电磁技术、自动控制技术等的电力电子产品。因其具有功耗小、效率高、体积小、重量轻、工作稳定、安全可靠以及稳压范围宽等优点，而被广泛应用于计算机、通信、电子仪器、工业自动控制、国防及家用电器等领域。 　　但是开关电源瞬态响应较差、易产生电磁干扰（EMD，且EMI信号占有很宽的频率范围，并具有一定的幅度。这些EMI信号经过传导和辐射方式污染电磁环境，对通信设备和电子仪器造成干扰，因而在一定程度上限制了开关电源的使用。 　　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：171008
    • 提供者：weixin_38516658

  1. 电源技术中的简述IGBT保护电路设计中必知问题

  2. 1 引言 　　IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：167936
    • 提供者：weixin_38736562

  1. 电源技术中的一款1700V，200～300A IGBT的驱动和保护电路设计

  2. 0  引言 　　IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：434176
    • 提供者：weixin_38614462

  1. 电源技术中的利用宽压输入DC/DC模块电源实现EMI设计

  2. 电磁干扰（EMI） 是干扰电缆信号并降低信号完好性的电子噪音，EMI通常由电磁辐射发生源如马达和机器产生的。电磁干扰是人们早就发现的电磁现象，它几乎和电磁效应的现象同时被发现，1981年英国科学家发表"论干扰"的文章，标志着研究干扰问题的开始。1989年英国邮电部门研究了通信中的干扰问题，使干扰问题的研究开始走向工程化和产业化。电磁干扰源包括微处理器、微控制器、传送器、静电放电和瞬时功率执行元件，如机电式继电器、开关电源、雷电等。在微控制器系统中，时钟电路是最大的宽带噪声发生器，而这个噪声被扩散

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38616505

  1. PCB技术中的开关电源PCB板的电磁兼容性研究

  2. 摘  要：随着开关电源控制精度的提高，开关电源PCB板的电磁兼容特性成为衡量电源质量的重要指标，本文探讨了开关电源PCB板设计过程中，电磁干扰的来源，并针对干扰原因提出了开关电源电磁兼容性设计的基本步骤和设计要点，对于开关电源的设计运用具有重要的实践意义。 　　随着功率半导体器件性能的提高和开关变换技术的革新，电力电子技术已经广泛地应用到了各式各样的电源设备中。目前，开关电源的产品越来越趋向于小型、高速和高密度化。这种趋势导致电磁兼容问题变得越来越严重。电压、电流的高频开关过程产生了大量的EM

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：153600
    • 提供者：weixin_38657376

  1. 电源技术中的封装寄生电感是否会影响MOSFET性能？

  2. I.引言     高效率已成为开关电源（SMPS）设计的必需要求。为了达成这一要求，越来越多许多功率半导体研究人员开发了快速开关器件，举例来说，降低器件的寄生电容，并实现低导通电阻，以降低开关损耗和导通损耗。这些快速开关器件容易触发开关瞬态过冲。这对SMPS设计中电路板布局带来了困难，并且容易引起了栅极信号振荡。为了克服开关瞬态过冲，设计人员通常采取的做法是借助缓冲电路提高栅极电阻阻值，以减慢器件开关速度，抑制过冲，但这会造成相对较高的开关损耗。对于采用标准通孔封装的快速开关器件，总是存在效率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：281600
    • 提供者：weixin_38718413

  1. 电源技术中的开关电源EMI的五大抑制策略

  2. 开关电源是一种应用功率半导体器件并综合电力变换技术、电子电磁技术、自动控制技术等的电力电子产品。因其具有功耗小、效率高、体积小、重量轻、工作稳定、安全可靠以及稳压范围宽等优点，而被广泛应用于计算机、通信、电子仪器、工业自动控制、国防及家用电器等领域。但是开关电源瞬态响应较差、易产生电磁干扰，且EMI信号占有很宽的频率范围，并具有一定的幅度。这些EMI信号经过传导和辐射方式污染电磁环境，对通信设备和电子仪器造成干扰，因而在一定程度上限制了开关电源的使用。 　　开关电源产生电磁干扰的原因 　　电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：142336
    • 提供者：weixin_38623249

  1. 电源技术中的意法半导体推出内置浪涌保护交流电源开关

  2. 功率半导体供应商意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出两款交流电源开关系列产品，新系列开关产品集成达到IEC 61000-4-5国际标准的浪涌保护功能，有助于简化家电和工业设备的电源设计，设备厂商可以不必再使用外部元器件实现浪涌保护通功能。 　　10A ACST10和12A ACST12系列使意法半导体产品应用范围从2A扩展到12A。这些器件可用于保护洗衣机的电机、电冰箱或空调器的空气压缩机和工业驱动器，可以取代传统的机电继电器或双向晶闸管式电源开关，这两种都必须增装外部元器件，才能防护

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：37888
    • 提供者：weixin_38569203

  1. 电源技术中的开关电源的高性能电压型PWM比较器

  2. 引言 　　随着科学技术的迅猛发展，电器设备日新月异，趋向小型化、低功耗、高效率，使开关电源需求日益增大，对电源的要求越来越高。 　　开关电源采用功率半导体器件作为开关，通过PWM控制开关的占空比来调整输出电压。根据定频控制方式分为电压型和电流型PWM控制，由于电压型PWM控制方式具有结构简单、易于实现等优点被广泛应用。图1所示是电压控制型开关电源的原理图，其中虚框部分是控制芯片内部结构。 　　控制芯片有一个采用PWM调制法的电压闭环反馈，将电压误差放大器放大后的直流信号与恒定频率的三角斜波

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38670433

  1. 电源技术中的开关电源转换器高性能碳化硅（SiC）功率半导体器件

  2. 进入21世纪，开关电源技术将会有更大的发展，这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努力协作，沿着下述方向，开发与开关电源相关的产品和技术。 　　碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是禁带宽，工作温度高（可达600℃）、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、DNI结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率的半导体开关器件，如SiC功率MOSFET和SiC IGBT等。　　  来源:ks99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：33792
    • 提供者：weixin_38632488

  1. 电源技术中的开关电源功率半导体器件

  2. 在过去的20多年，出现了一些新功率半导体开关器件和功率模块，在如功率MOS-FET，绝缘栅双极晶体管IGBT，碳化硅（SiC）器件等领域都有 了不同程度的新进展（以下未特别注明的MOSFET、IGBT或IGCT等，均是指用硅晶片制成的）。 　　1）功率MOSFET 　　1979年，功率MOSFET场效应晶体管问世。由于它的输入阻抗高、开关速度快和热稳定性好，可以完全代替功率晶体管GTR和中小电流的晶闸管 ，使电力电子电路如开关电源实现高频化成为可能。其电压电流定额已经达到了500V/240

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：77824
    • 提供者：weixin_38609720

  1. 电源技术中的开关电源转换器电力电子集成技术

  2. 电力电子电源设备的制造特点是：非标准件多，设计周期长、成本高、可靠性低、工作量大，而用户要求制造厂生产的电力电子产品要实用 、可靠性要高，体积重量要小，成本要低。这就使生产厂家承受的压力很大，迫切需要开展集成电力电子模块的研究开发，使电力电子产品标 准化、模块化，可制造性、规模生产、降低成本等目标得以实现。 　　实际上，在电力电子集成技术的发展进程中，已经经历了功率半导体器件的模块化、功率与控制电路的集成化、无源元件的集成（包括磁集成 技术）等发展阶段。 　　1）电力电子器件模块 　　电力

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38730331

  1. 电源技术中的开关电源进入高效率功率变换时代

  2. 电子设备特别是计算机的不断小型化，要求供电电源的体积随之小型化，因而开关电源开始替代以笨重的工频变压器为特征的线性稳压电源，同时电源效率得到明显提高。电源体积的减小意味着散热能力的变差，因而要求电源的功耗变小，即在输出功率不变的前提下，效率必须提高。 　　高效率功率变换：开关电源设计追求的目标 　　相同体积的电源的功率耗散基本相同，因此，欲得到更大的输出功率，必须提高效率，同时，高的电源效率可以有效地减小功率半导体器件的应力，有利于提高其可靠性。 　　开关电源的损耗主要为：无源元件损耗和有

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_38630358

  1. 电源技术中的安森美推出首个浮动稳压电荷泵，取代隔离式电源..

  2. 安森美半导体日前推出业内唯一用于低功率应用的浮动稳压电荷泵——NIS6201。其设计可提供20毫安(mA)的电流和8伏(V)至15V的电压，NIS6201的性价比特别高，可取代小型隔离式开关电源。这器件最适合的应用范围包括ORing二极管驱动电压、浮动检测电路和LED驱动器。      大多数电荷泵的输出电压通常对地参考，但NIS6201的输出电压可以任何总线电压为参考，或加至总线电压，使其浮动偏置或在任何总线电压之上供电。设计人员用最少的外部元件方便地产生任何偏置电压。NIS6201内含一个线

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：46080
    • 提供者：weixin_38618024

  1. 电源技术中的飞兆半导体为DC/DC应用推出MLP封装的UltraFET系列器件

  2. 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)成功扩展其功率开关器件解决方案，推出采用超紧凑型(3mm×3mm)模塑无脚封装(MLP)的100V、200V和220V N沟道UltraFET器件，最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式DC/DC转换器的初级端开关，能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。 　　与市场上类似的200V MLP 3x3封装器件相比，飞兆半导体的200V器件FDMC2610具有业界最低的米勒电荷(3.6nC对比4nC)和最低的导通阻抗(2

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：56320
    • 提供者：weixin_38698590

  1. 电源技术中的飞兆推出具有极佳抗雪崩能力的1200V NPT沟道IGBT

  2. 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)近日推出FGA25N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT，它结合了极佳的抗雪崩能力和经优化的开关及导通损耗性能权衡，能为电磁加热(IH)应用提高系统可靠性和效率。  　　该产品专为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计，与上一代器件相比，它的工作温度可降低达10℃，能够延长系统寿命。此款IGBT采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型(NPT)技术，这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺，使它能够耐受最大450mJ的雪崩能量，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：52224
    • 提供者：weixin_38514501

  1. 电源技术中的IR出新型坚固可靠的500V和600V集成电路

  2. 全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出一系列新一代500V及600V高压集成电路(HVIC)。这19款新型HVIC采用半桥设计，配有高端和低端驱动器，可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等应用。新器件提供单路或双路输入、欠压锁定保护，以及用于半桥驱动器的固定或可编程死区时间，并可驱动高达2.5A的电流。 　　新型IC采用一种G5 HVIC的先进高压IC工艺，以增加新的功能和提升性能。新一代高压之

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38645198
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