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  1. 4953 双P沟道增强型场效应管 LED行驱动芯片

  2. 4953 双P沟道增强型场效应管 应用范围：笔记本电源管理及电池供电应用 驱动LED点灯块

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-08-06
    • 文件大小：224256
    • 提供者：abao168

  1. 关于使用P-ChannelMOSFET-P沟道绝缘栅型场效应管作为电源开关的控制电路说明

  2. 关于使用P-ChannelMOSFET-P沟道绝缘栅型场效应管作为电源开关的控制电路说明

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-07-16
    • 文件大小：248832
    • 提供者：power2008man

  1. 电源技术中的内置的P-沟道降压DC/DC控制器—XCM526

  2. XCM526系列是内装了通用降压DC/DC控制器IC和P-沟道 功率 MOSFET的多重实装IC。内置的P-沟道 功率 MOSFET是低导通电阻高速开关型, 与降压DC/DC控制器组合能提供输出电流达到3A的高效率且稳定的电源。此外作为负载电容能使用低ESR钽电容(OS-CON?Neo 电容等)。(使用陶瓷电容时, 需要插入RSENSE) 　　内置了0.9V的基准电压源, 能由外部电阻任意设定输出电压。 　　能从重视高效率的300kHz, 可使外置元件小型化的1MHz, 两者之间的500kH

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：201728
    • 提供者：weixin_38609401

  1. 电源技术中的NEC电子（欧洲）推出新型P沟道功率MOSFET产品

  2. NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。 　　该系列产品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(-40V和-60V)及可由逻辑门驱动产品。在DPAK封装系列中，低漏极电流器件(ID(DC) < 50A)中的导通电阻(RDS(ON))为9.6mOhm(NP50P04SDG)至75mOhm(NP15P06SLG)。而在D2PAK封装系列中，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：46080
    • 提供者：weixin_38629362

  1. 模拟技术中的NEC电子推出新型P沟道功率MOSFET产品

  2. 近日，NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。该系列产品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(-40V和-60V)及可由逻辑门驱动产品。在DPAK封装系列中，低漏极电流器件(ID(DC)<50A)中的导通电阻(RDS(ON))为9.6mOhm(NP50P04SDG)至75mOhm(NP15P06SLG)。而在D2PAK封装系列中，额定漏极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38663526

  1. 元器件应用中的P沟道结型开关场效应管

  2. 表列出了一些P沟道结型场效应管的主要特性参数。　　一些P沟道结型开关场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38747025

  1. 元器件应用中的Vishay的P沟道功率MOSFET导通电阻低至1.2Ω

  2. Vishay的子公司Siliconix incorporated推出一系列新型-150V和-200V P沟道功率MOSFET，这些器件提供了面向有源钳位配置的小型解决方案。 　　这些新型P沟道功率MOSFET基于Siliconix的先进P沟道TrenchFET技术，它们的小型尺寸降低了板级空间要求，从而可在使性能不变的情况下实现更小的整体产品设计。由于P沟道驱动电路比N沟道解决方案更简单，因此，这些新型器件可使设计人员在小型及中型电源转换器中实施成本更低的更小型有源钳位设计。 　　推出的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38509504

  1. 元器件应用中的Fairchild推出P沟道MOSFET器件

  2. 飞兆半导体公司 (Fairchild) 推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P，可为各种低压 (<20V) 便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括：移动电话、数码相机、MP3播放器、医疗设备，以及其它智能化，小型化的便携式产品。 　　飞兆半导体的FDZ191P器件的性能优于市场上大部分专为低压应用而设计的功率MOSFET。FDZ191P作为PowerTrench:registered: MOSFET，采用了飞兆半

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38624557

  1. 电源技术中的Zetex新型高压P沟道MOSFET实现更小的有源箝位

  2. Zetex近日推出一系列新型200V额定P沟道MOSFET器件。新器件采用节省空间的SOT23和SOT223封装，极大地减少了有源箝位设计的尺寸。以往的相关设计一般都采用体积非常大的DPAK和SO8封装。  　　两款率先问世的微型器件包括5引脚SOT23型的ZXMP2120E5和4引脚SOT223型的ZXMP2120G4。为了阻止高压漏电的发生，Zetex特别加大了这两种封装的引脚间距。此外，在新型MOSFET的制造过程中，Zetex采用了低栅电容P沟道工艺，有效减少了切换瞬间的响声，实现了极低

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：33792
    • 提供者：weixin_38651812

  1. 可实现更小有源箝位的高压P沟道MOSFET

  2. Zetex近日推出一系列新型200V额定P沟道MOSFET器件。新器件采用节省空间的SOT23和SOT223封装，极大地减少了有源箝位设计的尺寸。以往的相关设计一般都采用体积非常大的DPAK和SO8封装。两款率先问世的微型器件包括5引脚SOT23型的ZXMP2120E5和4引脚SOT223型的ZXMP2120G4。为了阻止高压漏电的发生，Zetex特别加大了这两种封装的引脚间距。此外，在新型MOSFET的制造过程中，Zetex采用了低栅电容P沟道工艺，有效减少了切换瞬间的响声，实现了极低的噪声性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：32768
    • 提供者：weixin_38603936

  1. 电源技术中的瑞萨发布 P沟道功率MOSFET

  2. 瑞萨科技公司(Renesas)发布了HAT1125H –30 V击穿电压P沟道功率MOSFET，它具有非常低的2.7 mΩ (典型值)导通电阻，用于笔记本电脑和类似产品中的电源管理开关和锂离子电池充电/放电控制。2004年6月8日，将在日本开始样品发货。 与瑞萨科技先前的产品相比，HAT1125H的导通电阻大约减小了25%，是业界导通电阻最低的工业标准SOP-8尺寸小型表面安装封装产品。由于其损耗很低，将有助于设计小型、节省空间的系统。 笔记本电脑最近的趋势包括功能更高、CPU速度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38741891

  1. 电源技术中的Vishay推出新系列 P 沟道 MOSFET Siliconix 器件

  2. Vishay推出新系列 P 沟道 MOSFET，这些器件建立了每单位面积最低导通电阻的新记录。基于新一代 TrenchFET 芯片技术的新型 Vishay Siliconix 器件采用 PowerPAK SC-70 封装（2.05 mm×2.05 mm）时最大导通电阻额定值为 29 毫欧，采用标准 SC-70 封装（2.0 mm×2.1 mm）时为 80 毫欧，采用 SC-89 封装（1.6 mm×1.6 mm）时为 130 毫欧。 　　与市场上仅次之的 MOSFET 相比，这些新型 Visha

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：102400
    • 提供者：weixin_38719643

  1. 研诺推出P沟道限流型MOSFET功率开关芯片AAT4620

  2. 专为移动消费电子设备提供电源管理半导体器件的开发商研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech)，日前宣布推出一款P沟道限流型场效应管(MOSFET)功率开关芯片——AAT4620，适用于个人电脑(PC)调制解调器(modem)卡的高端负荷开关应用。该款新型器件包含的所有电路都需要进行限制电流、保护PC卡插口、不间断地对电容器充电，并且可在准备就绪时对系统进行提示，这样，在不超出主机电源规格的情况下，确保了超级电容器——通常被用来平衡高脉冲电流——可以被快速地充满。     可调的晶圆温度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：87040
    • 提供者：weixin_38723691

  1. 汽车电子中的NEC推出8款汽车用P沟道功率MOSFET产品

  2. NEC电子成了8款用于汽车的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)小型封装产品的开发，并将于即日起开始发售样品。 此次推出的新产品主要用于继电器、电机等通过电流为数十安培的控制单元，其中NP50P04等4款产品为40V耐压、导通阻抗为业界最低的产品；另外4款产品与现有的60V耐压品相比，导通阻抗最大可减至一半。对于汽车厂商及器件厂商等用户而言，使用低导通阻抗产品可以减少电流流经时产生的热量，从而减轻电路设计时的负担。 新产品的样品价格因耐压及导通阻抗的不同而有所差异，其中N

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38581447

  1. 背栅引起的薄层SOI场P沟道LDMOS的击穿机制

  2. 背栅引起的薄层SOI场P沟道LDMOS的击穿机制

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38636763

  1. 具有累积效应扩展栅极的超低导通电阻高压p沟道LDMOS

  2. 具有累积效应扩展栅极的超低导通电阻高压p沟道LDMOS

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38669793

  1. 绝缘体上薄硅场P沟道横向双扩散金属氧化物半导体的热载流子线性漏极电流和阈值电压降级

  2. 绝缘体上薄硅场P沟道横向双扩散金属氧化物半导体的热载流子线性漏极电流和阈值电压降级

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38642636

  1. 场注入对薄层SOI场P沟道LDMOS截止和导通状态特性的影响

  2. 场注入对薄层SOI场P沟道LDMOS截止和导通状态特性的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：552960
    • 提供者：weixin_38698311

  1. 薄层SOI场p沟道LDMOS对RON，sp和BV的后栅极效应

  2. 薄层SOI场p沟道LDMOS对RON，sp和BV的后栅极效应

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38752074

  1. 在外延SIMOX衬底上形成的A-188 V7.2Ω·mm〜2，P沟道高压器件

  2. 在外延SIMOX衬底上形成的A-188 V7.2Ω·mm〜2，P沟道高压器件

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38717843
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