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  1. 手机定位软件通过移动LEB技术定位手机

  2. 手机定位软件通过移动LEB技术定位手机 手机定位软件通过移动LEB技术定位手机 手机定位软件通过移动LEB技术定位手机
  3. 所属分类:Java

    • 发布日期:2010-12-26
    • 文件大小:53248
    • 提供者:whbdj2008
  1. 本科论文--leb点阵屏上位机

  2. 这是一篇为内政的毕业论文,可供热爱电子的人做参考
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2011-05-30
    • 文件大小:14680064
    • 提供者:hhl2009k
  1. 安卓手机 Leb安全专家 防火墙 流量控制

  2. 安卓手机系统 Leb安全专家 防火墙 流量控制 病毒查杀
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2012-05-03
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:nixiaofanzzf
  1. HBS1065AC-DC开关电源管理芯片

  2. 一、功能概述 1.低内阻电流和工作电流。 2.内置前沿消隐(LEB)。 3.内置峰值电流补偿和同步斜坡补偿。 4.内置抖频功能可以降低EMI。 5.逐周期限制电流。 6.空载或轻载时降频和跳周期工作模式。 7. 过载保护(过流保护、过压保护)、欠压保护、过温保护、开环保护、输出短路保护等。 二、特性描述 HBS1065 芯片是一款高集成度、高性能的PWM+ MOSFET 二合一的电流型离线式开关电源控制器。适用于充电器、电源适配器等各类对应功率的开关电源。采用DIP8封装,无需加散热器可输出0
  3. 所属分类:电子政务

    • 发布日期:2012-07-27
    • 文件大小:529408
    • 提供者:hbsic
  1. HBS6848AC-DC开关电源管理芯片

  2. 一、功能概述    1.低内阻电流和工作电流。    2.内置前沿消隐(LEB)。    3.内置峰值电流补偿和同步斜坡补偿。    4.内置抖频功能可以降低EMI。    5.逐周期限制电流。    6.空载或轻载时降频和跳周期工作模式。    7. 过载保护(过流保护、过压保护)、欠压保护、过温保护、开环保护、输出短路保护等。 二、特性描述    HBS6848芯片是一款高集成度、高性能的PWM+ MOSFET 二合一的电流型离线式开关电源控制器。适用于充电器、电源适配器等各类对应功率的开
  3. 所属分类:电子政务

    • 发布日期:2012-07-27
    • 文件大小:567296
    • 提供者:hbsic
  1. HBS6858兼容OB2358 CR6228

  2. 一、功能概述    1.低内阻电流和工作电流。    2.内置前沿消隐(LEB)。    3.内置峰值电流补偿和同步斜坡补偿。    4.内置抖频功能可以降低EMI。    5.逐周期限制电流。    6.空载或轻载时降频和跳周期工作模式。    7. 过载保护(过流保护、过压保护)、欠压保护、过温保护、开环保护、输出短路保护等。 二、特性描述    HBS6858 芯片是一款高集成度、高性能的PWM+ MOSFET 二合一的电流型离线式开关电源控制器。适用于充电器、电源适配器等各类对应功率的
  3. 所属分类:电子政务

    • 发布日期:2012-07-27
    • 文件大小:567296
    • 提供者:hbsic
  1. HBS6838AC-DC电源适配器芯片

  2. 一、功能概述    1.低内阻电流和工作电流。    2.内置前沿消隐(LEB)。    3.内置峰值电流补偿和同步斜坡补偿。    4.内置抖频功能可以降低EMI。    5.逐周期限制电流。    6.空载或轻载时降频和跳周期工作模式。    7. 过载保护(过流保护、过压保护)、欠压保护、过温保护、开环保护、输出短路保护等。 二、特性描述    HBS6838芯片是一款高集成度、高性能的PWM+ MOSFET 二合一的电流型离线式开关电源控制器。适用于充电器、电源适配器等各类对应功率的开
  3. 所属分类:电子政务

    • 发布日期:2012-07-27
    • 文件大小:567296
    • 提供者:hbsic
  1. HBS1565AC-DC开关电源管理芯片

  2. 一、功能概述    1.低内阻电流和工作电流。    2.内置前沿消隐(LEB)。    3.内置峰值电流补偿和同步斜坡补偿。    4.内置抖频功能可以降低EMI。    5.逐周期限制电流。    6.空载或轻载时降频和跳周期工作模式。    7. 过载保护(过流保护、过压保护)、欠压保护、过温保护、开环保护、输出短路保护等。 二、特性描述    HBS1565 芯片是一款高集成度、高性能的PWM+ MOSFET 二合一的电流型离线式开关电源控制器。适用于充电器、电源适配器等各类对应功率的
  3. 所属分类:电子政务

    • 发布日期:2012-07-27
    • 文件大小:566272
    • 提供者:hbsic
  1. CCIE R&S 实验手册(整理打包版)

  2. CCIE R&S 实验手册(整理打包版),内含K1~K4各个知识点的讲解。
  3. 所属分类:思科认证

    • 发布日期:2013-03-26
    • 文件大小:17825792
    • 提供者:huohuosld
  1. LEB隐私控制

  2. 手机版LEB安全大师安卓版基于业界首创的API拦截技术,能够实时监控与拦截系统中的敏感操作,动态拦截来自已知和未知的各种威胁。避免各类吸费软件,广告软件乃至木马病毒窃取您手机内的隐私信息以及可能产生的经济损失。
  3. 所属分类:Android

    • 发布日期:2013-04-12
    • 文件大小:875520
    • 提供者:u010274180
  1. LEB手机管理软件

  2. 适合魅族手机无账户密码的用户,其它手机也好用,无法卸载的广告软件可以冰冻住不需要启动。
  3. 所属分类:Android

    • 发布日期:2014-06-28
    • 文件大小:4194304
    • 提供者:qq_17005349
  1. leb手机软件

  2. leb手机软件
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2014-09-09
    • 文件大小:812032
    • 提供者:topio
  1. 安卓LEB双开大师

  2. 这个软件非常有趣,它可以在安卓平台上同时运行两个微信、两个QQ,
  3. 所属分类:Android

    • 发布日期:2016-01-04
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:qsxz108
  1. 8635规格书.pdf

  2. SDH8635为全电压28W内置高压MOSFET的PWM+PFM控制器。SDH8635 是用于开关电源的内置高压 MOSFET 及高压启动恒流源、外置采样电阻的电流模式 PWM+PFM 控制器。SDH8635 内置高压启动恒流源,低待机功耗<30mW。有多种控制模式:在重载时,工作在 PWM 模式;在轻载时,工作在 PFM 模式,以提高转换效率;在空载时,进入打嗝模式,以降低待机功耗。SDH8635 具有抖频功能,以降低 EMI。内置峰值电流补偿电路,可以使不同交流电压输入时极限输出功率一
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2020-02-10
    • 文件大小:506880
    • 提供者:QQ1962303878
  1. 基于UCC3809设计的反激变换器(50W).pdf

  2. 基于UCC3809设计的反激变换器(50W)pdf,UCC3809设计反激变换器(50W)在反激变换器中,变压器实际上是一个多绕组的耦和电感,变压器磁芯提 供耦合及隔离,而电感量给出储能大小,储存在空气隙中的电感的能量如下式 E Lp·(PEAK 2 (2) 此处,E为焦耳,Lp为初级电感,单位为享利。 Ipeak为初级电流,单位安 培。当开关导通时,D1反向偏置,没有电流流过二次绕组,初级绕组中流过斜 率如下式的电流 IN(min)v Rds(on) △t P (3) 此处,V1N(min)与
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-14
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:weixin_38743481
  1. SM7523 恒流原边控制功率开关.pdf

  2. SM7523 恒流原边控制功率开关pdf,SM7523 恒流原边控制功率开关SM7523恒流原边控制功率开关 QOBSIW17 极限参数 极限参数(TA=25℃) 符号 说明 范围 单位 VDD 芯片工作电压 -0.3~6 FB输入电压 cs输入电压 -03~7.0 A 工作温度 g 存储温度 40~150 人体放电模式 Rea 热阻 ℃ VDs耐压 -0.3~730 电气工作参数 (除非特殊说明,下列条件均为TA=25℃,VD=6V) 范围 符号 说明 单位 最小 典型 最大 ICC 静态电流
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-14
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38743481
  1. SIMATIC NET 网络组件 SCALANCE XM-400 的扩展器[手册].pdf

  2. SIMATIC NET 网络组件 SCALANCE XM-400 的扩展器[手册]pdf,目录 简介 2安全须知 ■■■■■■■■口■■■■■■■■■■■■■■■,口■■■■■■■■■■■■■■■■■■■I■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■D■■■■■■■■■■■■■■■ ■■■口口D■■■■■■■■口■■■■■■■■■ 3设备描述 1E,口,口,面,,日·,口,,目,,日日,口,,口,,目,,,,,·,D口,B口,■日,,,,, 产品组 11 产品总览 12 视图 15 3
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-13
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38743737
  1. AP8012H:VIPER12A升级版本,pin对pin替代 -AP8012H Datasheet 英文版Rev.A.1704.pdf

  2. AP8012H:VIPER12A升级版本,pin对pin替代 -AP8012H Datasheet 英文版Rev.A.1704.pdf(T-25C, VDD-15 V; unless otherwise specified Boss VDMOS Breakdown Voltage ISw =250uA 750 820 Static Drain-Sourcc off current 550V 100 uA ≤ON Static Drain-Source on Resistance Isw=400m
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-03
    • 文件大小:300032
    • 提供者:weixin_38743602
  1. AP8012H:VIPER12A升级版本,pin对pin替代 -AP8012H Datasheet 中文版Rev.A.1704.pdf

  2. AP8012H:VIPER12A升级版本,pin对pin替代 -AP8012H Datasheet 中文版Rev.A.1704.pdfAP8012H 电气特性 (T,=25℃C,V=15V;特殊情况另行说明) 表3.功率部分 符号 参数 测试条件 最小 典型最大单位 B VDSS 功率管耐压 250uA 750 820 OFE 关态漏电流 Ⅴsw=550V uA oN|功率管导通电阻 400mA.T=25°C 18 表4.控制部分 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大单位 欠压保护部分 VsT
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-03
    • 文件大小:364544
    • 提供者:weixin_38743506
  1. pin对pin替代VIPER22A-AP8022H Datasheet 中文版Rev.A.1702.pdf

  2. pin对pin替代VIPER22A-AP8022H Datasheet 中文版Rev.A.1702.pdf电气特性 (T=25°℃C,V=15V:特殊情况另行说明) 表功率部分 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大单位 B VDSS 功率管耐压 ISw-250uA 750 800 关态漏电流 Ⅴsw=550v 100 uA R - DSON 功率管导通电阻 Isw=400mA,T.=25°C 表控制部分 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大单位 欠压保护部分 VSTART欠压保护后动电压 V
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-03
    • 文件大小:352256
    • 提供者:weixin_38744207
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