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搜索资源列表

  1. 半导体制造技术

  2. 《半导体制造技术》详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今最新技术资料，学术界和工业界对《半导体制造技术》的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2013-05-06
    • 文件大小：37748736
    • 提供者：u010586901

  1. 半导体制造工艺.ppt

  2. 1.1　引言 1.2　基本半导体元器件结构 1.3　半导体器件工艺的发展历史 1.4　集成电路制造阶段 1.5　半导体制造企业 1.6　基本的半导体材料 1.7　半导体制造中使用的化学品 1.8　芯片制造的生产环境

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-15
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 半导体制造工艺基础施敏版期末复习重点及样卷.rar

  2. 半导体制造工艺基础施敏版期末复习重点及样卷，半导体制造工艺基础施敏版期末复习重点及样卷，半导体制造工艺基础施敏版期末复习重点及样卷

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-01-06
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_42311800

  1. 化学机械研磨工艺中的减量减排

  2. 化学机械研磨工艺中的减量减排，吴端毅，，半导体制造是一个高耗能，高排放的行业。本文通过对半导体制造工艺中化学机械研磨（chemical mechanical polish）工艺中的研磨环、氨水和�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-31
    • 文件大小：625664
    • 提供者：weixin_38602982

  1. 半导体制造工艺

  2. 半导体集成电路的制造工艺学习讲义，内容丰富 ，适合初学者了解学习

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2015-08-27
    • 文件大小：680960
    • 提供者：lzlwj_99

  1. 工业电子中的半导体电镀工艺解析

  2. 金镀层具有接触电阻低、导电性能好、可焊性好、耐腐蚀性强，因而电镀金在集成电路制造中有着广泛的应用，例如：在驱动IC封装中普遍使用电镀金凸块；在CMOS/MEMS中应用电镀金来制作开关触点和各种结构等；在雷达上金镀层作为气桥被应用；电镀还被用于UBM阻挡层的保护层，以及用于各种引线键合的键合面等等。     1  电镀金工艺1.1 电镀金工艺流程集成电路中的金电镀工艺流程：     ①在硅片上溅射钛、钛钨等金属作为黏附层，再溅射很薄的一层金作为电镀的导电层；②涂布光刻胶，光刻显影出电镀所需的图

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：99328
    • 提供者：weixin_38743391

  1. 意法半导体65nm工艺技术的SPEAr定制芯片

  2. 意法半导体公司的SPEAr:registered:可配置型系统芯片系列新增加一款生力军，新款的SPEAr基本型产品采用当前最先进的65nm低功耗制造工艺，可满足各种嵌入式应用的需求，如入门级打印机、传真机、数码相框、网络电话（VoIP）等设备。 　　ST的SPEAr（Structured Processor Enhanced Architecture，结构化处理器增强型架构）不仅能够降低在开放市场销售的标准产品的制造成本，加快新产品上市时间，在优化系统性能时还能提供专用IC的设计灵活性。SP

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：69632
    • 提供者：weixin_38686245

  1. ADI推出0.6μm耐高压工艺技术“iCMOS”

  2. 美国模拟器件公司（ADI）前开发成功了可承受电压达30V、设计规格为0.6μm的超微细半导体制造工艺该技术名为“iCMOS工艺技术”。主要用于生产面向需要承受高电压的产业设备和医疗设备等的模拟IC。 　　此前，生产可承受30V高压的模拟IC芯片，需要采用设计规格为1μm～3μm的Bipolar-CMOS技术。而采用此次的iCMOS工艺技术，与此前相比可减少耗电、减小芯片面积，还可实现高速运行等。因为具有以上优良性能，ADI计划在面向产业设备和医疗设备的模拟IC生产领域，全面推进由此前的Bipol

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38647925

  1. 单片机与DSP中的ST 推出采用0.13微米制造工艺的下一代微控制器

  2. 金融市场上知名的智能卡IC供应商意法半导体（纽约证券交易所代码：STM)宣布一系列新的安全型微控制器产品，新系列产品采用最先进的0.13微米制造工艺，以银行卡、顾客忠诚卡等金融智能卡为目标应用。新系列产品基于新的ST23安全平台，吸收了最新的安全技术改良成果，针对先进安全应用优化了计算性能。　　ST23YS02和ST23YS08分别集成了2KB和8KB 的EEPROM存储器。具有竞争力的价格，0.13微米的制造工艺，该系列产品适合各种金融应用，特别适合从磁条向静态数据验证（SDA）芯片和PIN卡

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38665490

  1. 单片机与DSP中的意法半导体发布采用0.13微米制造工艺的下一代微控制器...

  2. 金融市场上知名的智能卡IC供应商意法半导体日前宣布一系列新的安全型微控制器产品，新系列产品采用最先进的0.13微米制造工艺，以银行卡、顾客忠诚卡等金融智能卡为目标应用。新系列产品基于新的ST23安全平台，吸收了最新的安全技术改良成果，针对先进安全应用优化了计算性能。 　　ST23YS02和ST23YS08分别集成了2KB和8KB的EEPROM存储器。具有竞争力的价格，0.13微米的制造工艺，该系列产品适合各种金融应用，特别适合从磁条向静态数据验证（SDA）芯片和PIN卡过渡的EMV标准。简化

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38705788

  1. 意法半导体推出采用90nm 制造工艺的128-Mbit NAND 闪存

  2. 闪存芯片供应商意法半导体近日采用90nm制造工艺的128Mbit NAND闪存NAND128W3A2BN6E。 　　NAND128W3A2BN6E 是一个采用TSOP封装的3V产品，以消费电子产品为目标应用。另两款产品256Mbit和512Mbit的NAND闪存（均有3V 和1.8V两个版本）也将在今后几个月内过渡到90纳米制造工艺。 　　NAND128具有超高速的数据吞吐量和擦写能力，该系列产品的地址线路和数据输入/输出信号都通过一个8位总线多路传输，从而降低了芯片的引脚数量，并允许使用一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38571878

  1. 元器件应用中的安森美推出HighQ硅-铜集成无源器件制造工艺和IPD产品设计工具

  2. 安森美宣布将其先进的制造工艺技术扩大到HighQ硅-铜集成无源器件(IPD)的制造服务领域。与昂贵、超高性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比，这创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低，性能更高。 　　安森美半导体的HighQ IPD工艺技术是诸如不平衡变换器、耦合器和滤波器等无源器件制造的理想选择。对于便携和无线应用，高性能等于延长电池寿命。 　　安森美半导体制造服务总经理Rich Carruth说：“目前，为了向市场推出具有价格竞争力的电子消费品，设计人员在为板选择无源

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38688890

  1. SPC在半导体晶圆制造厂的应用（下）

  2. 梁德丰，梁静，钱省三（上海理工大学工业工程研究所/微电子发展中心，上海 200093）摘要：由于半导体制造工艺过程的复杂性，一般很难建立其制造模型，不能对工艺过程状态作有效的监控，所以迫切需要先进的半导体过程控制技术来严格监控工艺过程状态，而SPC就是其中最重要的一种技术。本文着重论述了半导体晶圆厂的SPC与传统行业的不同之处。 关键字：半导体；SPC；过程控制；控制图 中图分类号：TN301 文献标识码： A 文章编号：1003-353X(2004)05-0035-034 SPC控制的方法简介

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：88064
    • 提供者：weixin_38508549

  1. PCB技术中的SPC在半导体晶圆制造厂的应用（上）

  2. 梁德丰，钱省三，梁静（上海理工大学工业工程研究所/微电子发展中心，上海 200093）摘要：由于半导体制造工艺过程的复杂性，一般很难建立其制造模型，不能对工艺过程状态有效地监控，所以迫切需要先进的半导体过程控制技术来严格监控工艺过程状态，而SPC就是其中最重要的一种技术。本文针对SPC做了简要概述，着重论述了根据半导体生产工艺的特点来实现其在半导体晶圆厂的实际应用。 关键词：半导体；SPC；过程控制；控制图 中图分类号：TN301 文献标识码： A 文章编号：1003-353X(2004)03-

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：98304
    • 提供者：weixin_38719719

  1. 工艺良品率测量点

  2. 维持及提高良品率（yield）对半导体工业至关重要。任何对半导体工业做过些许了解的人都会发现，整个工业对其生产良率及其关注。的确如此，半导体制造工艺的复杂性，以及生产一个完整的封装器件所需要经历的庞大工艺制程数量，使导致这种对良品率超乎寻常关注的基本原因。这两个方面的原因使得通常只有20%~80%的芯片能够完成晶圆生产全过程，成为成品出货。 对于大部分的制造工程师来说，这样的良品率看上去真是太低了。可是当我们考虑一下所面临的挑战，是要在极其苛刻的洁净空间中，在1/2平方英寸的芯

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：55296
    • 提供者：weixin_38621870

  1. 单片机与DSP中的ST 推出采用0.13微米制造工艺的微控制器

  2. 意法半导体（ST)宣布一系列新的安全型微控制器产品，新系列产品采用最先进的0.13微米制造工艺，以银行卡、顾客忠诚卡等金融智能卡为目标应用。新系列产品基于新的ST23安全平台，吸收了最新的安全技术改良成果，针对先进安全应用优化了计算性能。    ST23YS02和ST23YS08分别集成了2KB和8KB 的EEPROM存储器。具有竞争力的价格，0.13微米的制造工艺，该系列产品适合各种金融应用，特别适合从磁条向静态数据验证（SDA）芯片和PIN卡过渡的EMV标准。简化的体系架构让这些器件变得简便

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38558659

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的意法推出采用0.13微米制造工艺的下一代微控制器

  2. 智能卡IC供应商意法半导体(ST)日前宣布一系列新的安全型微控制器产品，新系列产品采用最先进的0.13微米制造工艺，以银行卡、顾客忠诚卡等金融智能卡为目标应用。新系列产品基于新的ST23安全平台，吸收了最新的安全技术改良成果，针对先进安全应用优化了计算性能。     ST23YS02和ST23YS08分别集成了2KB和8KB的EEPROM存储器。具有竞争力的价格，0.13微米的制造工艺，该系列产品适合各种金融应用，特别适合从磁条向静态数据验证(SDA)芯片和PIN卡过渡的EMV标准。简化的体

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：40960
    • 提供者：weixin_38741075

  1. 安森美将先进的制造工艺扩展到HighQ硅-铜IPD领域

  2. 安森美半导体（ON Semiconductor）宣布，将其先进的制造工艺技术扩大到HighQ硅-铜集成无源器件(IPD)的制造服务领域。与昂贵、超高性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比，这创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低，性能更高。  HighQ IPD工艺技术是诸如不平衡变换器、耦合器和滤波器等无源器件制造的理想选择。对于便携和无线应用，高性能等于延长电池寿命。 工艺 位于美国的世界级安森美半导体200 mm制造厂采用的是IPD工艺。该厂具世界一流水平的原型和生产周期

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38636461

  1. 碳化硅( SiC) 器件制造工艺中的干法刻蚀技术

  2. 摘要：简述了在SiC材料半导体器件制造工艺中,对SiC材料采用干法刻蚀工艺的必要性.总结了近年来SiC干法刻蚀技术的工艺发展状况.

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-12-30
    • 文件大小：220160
    • 提供者：jfkj2021

  1. 半导体制造工艺中的主要设备及材料大盘点

  2. 本文首先介绍了半导体制造工艺流程及其需要的设备和材料，其次阐述了IC晶圆生产线的7个主要生产区域及所需设备和材料，详细的介绍了半导体制造工艺，具体的跟随小编一起来了解一下。　　一、半导体制造工艺流程及其需要的设备和材料　　半导体产品的加工过程主要包括晶圆制造（前道，Front-End）和封装（后道，Back-End）测试，随着先进封装技术的渗透，出现介于晶圆制造和封装之间的加工环节，称为中道（Middle-End）。由于半导体产品的加工工序多，所以在制造过程中需要大量的半导体设备和材料。在这里，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：498688
    • 提供者：weixin_38650150
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