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  1. 计算机组成原理——只读存储器和闪速存储器

  2. 计算机组成原理——只读存储器和闪速存储器。综合各方面整合的。因为老师要上去讲，所以小组自己做的一份。

  3. 所属分类：C/C++

    • 发布日期：2012-03-31
    • 文件大小：883712
    • 提供者：linli1240371950

  1. 闪速存储器硬件接口和程序设计中的关键技术

  2. 本文给出了单片机与闪速存储器硬件接口电路和软件编程设计中应注意的关键技术问题。硬件上主要考虑芯片的工作电压和编程电压，软件上要考虑到器件的内部结构、使用命令集和时间参数等因素。随着闪速存储器器件朝着容量越来越大、工作电压越来越低、支持共同的接口标准的方向发展，将会使闪速存储器硬件接口和软件编程设计越来越容易，也会使闪速存储器的应用更加广泛。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-05
    • 文件大小：72704
    • 提供者：weixin_38628243

  1. 闪速存储器的概要

  2. 闪速存储器的基本存储器单元结构如图1所示。一眼看上去就是n沟道的MOSFET那样的东西，但又与普通的FET不同，特点是在栅极（控制栅）与漏极／源极之间存在浮置栅，闪速存储器利用该浮置栅存储记忆。         图1 闪速存储器的单元结构 　　浮置栅被设计成可以存储电荷的构造，栅极及主板利用氧化膜进行了绝缘处理，一次积累的电荷可以长时间（10年以上）保持。当然，如果氧化膜存在缺陷，或者由于某种原因使绝缘膜遭到破坏，那么闪速存储器将失去记忆。同时，因为热能必定致使电荷以某概率发生消减，因此

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：184320
    • 提供者：weixin_38548704

  1. 闪速存储器指令

  2. 通过地址与数据特定组合的若干次写人序列，向闪速存储器发出指令。利用这样的序列，防止由于编程错误及开通电源的暂时不稳定等因素所引发偶然擦除及写人操作。 　　Am29F010A的指令定义如表所示。例如，当编程指令（向闪速存储器特定地址写入数据）下达时，如下所述： 　　①向555h地址写人AAh； 　　②向2AAh地址写人55h； 　　③向555h地址写入A0h； 　　④向希望写人地址（PA）处写人希望写入的数据（PD）。 　　表 Am29F010A的指令定义 　　RA：读地址；PA：编程地址

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：114688
    • 提供者：weixin_38586428

  1. NOR闪速存储器写周期的时序

  2. 写周期的详细情况将在后面进行描述，这里要说明的是，写周期在闪速存储器中利用WE的存取操作不是类似RAM那样的向指定地址的直接写人操作，而是通过指令对闪速存储器进行操作。与NAND闪速存储器相同，通过一连串的指令序列，可以进行编程（数据写人）和芯片擦除操作。 　　　　为此，时序图也以包括用于编程及擦除操作时间的形式被记录。图1为编程操作，图2为擦除操作。    图1 编程操作 　　图2 擦除操作 　　另外，在图中，如编程操作，是通过向555h写人A0h、然后给予PA（编程地址）和P

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：175104
    • 提供者：weixin_38694541

  1. NOR闪速存储器的写周期的概要

  2. 写周期的基本思路如图所示。因为这次是写的方向，所以OE保持高电平，由主机方面赋予数据（DQ0～DQ1）。 　　图 闪速存储器的写操作 　　当WE和CE双方都为低电平时，进行写操作的地址被提取到闪速存储器内部。而在WE和瓦双方都变成低电平后，在任何一方上升为高电平阶段（由低电平到高电平的变化中），数据被提取到闪速存储器内部。通过WE进行的写操作称为WE写控制；通过CB进行的写操作称为瓦写控制。一般情况下利用WE写控制的较多，所以图示的也是WE写控制的过程。  　　写操作时必须要注意的是地址

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：93184
    • 提供者：weixin_38585666

  1. NOR闪速存储器的读周期的概要

  2. 下面我们来看看闪速存储器读周期的时序。基本的存取方法的思路如图所示。 　　图  闪速存储器的读操作 　　将希望访问的地址提供给A0～A16，一旦瓦、醌效（低电平），则由闪速存储器开始读出数据（因为是读操作，所以WE保持高电平）。 　　数据在何时被确定是由地址．CE．OE各自确定后的延迟时间（存取时间）规定的，是由最迟的时间确定数据的。 　　例如，Am29F010A-55由地址及GE的存取时间为55ns，由“的存取时间为30ns。如果地址确定了的同时，CE、OE同时有效，则55ns后将出现

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：71680
    • 提供者：weixin_38699784

  1. NOR闪速存储器与处理器的连接实例

  2. 表示闪速存储器与CPU的连接模式如图1所示。该图中信号名与信号的意思吻合ISA总线，通过地址译码器对CPU地址的高位进行解码，如果属于闪速存储器范围．则使CE信号有效，将地址的低位赋予闪速存储器。           图1   8位CPU与闪速存储器的连接思路 　　进而OE与SMEMR信号、WE与SMEMW信号相连，DQ0～DQ7连接于CPU的数据总线。 　　该图中特意考虑到时序的关系。根据CPU的总线工作时间，或者需要仔细计算时间，或者使其等待、延长总线周期等。ISA总线与近期的闪速

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：134144
    • 提供者：weixin_38565480

  1. NOR闪速存储器信号的种类

  2. Am29F010引脚的分组如图所示。Am29F040只是地址总线增加到18根，没有NC引脚，其他方面与Am29F010完全相同。闪速存储器的操作与地址、数据、CE、OE、WE的组合如表所示。   图 Am29F01O的引脚分组   表 Am29F010A的操作模式 　　1.  VCC／Vss  　　这是电源引脚。因为Am29F010和Am29F040都是＋5V单一电源工作的FlashROM，因此，给Vcc加上＋5V电压，Vss作为标准电位为0V。 　　2.  A0～A16（地址）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：107520
    • 提供者：weixin_38555616

  1. NAND闪速存储器的内部结构

  2. TC58V64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大，则块数也将增加，但内部的基本结构没有改变。 图 TC58V64的内部结构 　　NAND闪速存储器的特点 　　①按顺序存取数据； 　　②存储器内部以块为单元进行分割，而各块又以页为单位进行分割； 　　③以块为单位进行擦除操作； 　　④以页为单位进行编程（写人）； 　　⑤页的大小存在尾数（TC28V64是roodZJ字节）； 　　⑥也存在有坏块（bad block）的产品。 　　以NAND闪速存储器为主的用途是类似硅盘那样的文件保存器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：75776
    • 提供者：weixin_38638309

  1. 闪速存储器的分类及特征

  2. 闪速存储器根据单元的连接方式，如表所示，可分成NAND、NOR、DINOR（Divided bit Line NOR）及AND几类。NAND闪速存储器单元的连接方式如图1所示，NOR闪速存储器如图2所示，DINOR闪速存储器如图3所示，AND闪速存储器单元的结构如图4所示。市场上销售的闪速存储器基本上就是NOR及NAND两种，其中只有NAND闪速存储器的单元是串联的，其他所有类型的单元都是并联的。 　　表  闪速存储器的单元方式 　　NOR闪速存储器以读取速度100ns的高速在随机存取中

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：182272
    • 提供者：weixin_38580759

  1. 闪速存储器芯片K9F6408系列的典型应用

  2. 作者Email: cat_yuan163.com 摘要：K9F6408系列是8M×8bit的NAND型闪速存储器。它以其快速读写循环，数据硬件保护，可擦除，I/O口命令/地址/数据线复用和接口便利等特点，正成为大型数据如语音、数字图像、文件等系统数据的载体。本文给出了K9F640800A与单片机P87C52的硬件连接电路及闪速存储器操作的软件应用程序。 关键词：flash 存储器；扇区；操作；应用程序 1、概述 存储器是计算机外围产品的重要组成部分，在经历了ROM, P

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：88064
    • 提供者：weixin_38716081

  1. 闪速存储器在图像采集系统中的应用

  2. 摘要：闪速存储器具有结构简单、控制灵活、编程可靠、擦除快捷的优点，而且集成度可以做得很高，因此获得了较广泛的应用。本文详细介绍Samsung公司生产的64M×8位闪速存储器K9F1208UOM的主特性、应用方法和接口技术；介绍采用K9F1208UOM作为图像存储介质的图像采集记录系统的组成原理和具体实现方法。 关键词：闪速存储器 K9F1208UOM 图像采集 图像存储引言图像的保存和恢复是一个图像采集系统所不可或缺的功能之一。保存图像信息所用的介质或设备有很多种，如常用的电影胶片、胶卷、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：120832
    • 提供者：weixin_38623819

  1. 闪速存储器硬件接口和程序设计中的关键技术

  2. 摘要：介绍了闪速存储器的使用方法，并给出了单片机与闪速存储器接口和程序设计中应注意的关键技术。     关键词：单片机 闪速存储器 公共闪存接口 CFI 闪速存储器（Flash Memory）以其集成度高、制造成本低、使用方便等诸多优点广泛地应用于办公设备、通信设备、医疗设备、家用电器等领域。利用其信息非易失性和可以在线更新数据参数特性，可将其作为具有一定灵活性只读存储器使用。 在单处机应用系统中，经常遇到大容量的数据存储问题。闪速存储器由于容量大、存储速度快、体积小、功耗低等诸多优点，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：172032
    • 提供者：weixin_38605538

  1. 74HC373与闪速存储器AT29C010A及其应用

  2. 作者：天津大学精密仪器与光电子工程学院,易志明,林凌,郝丽宏,李树靖    文章来源：电子设计应用 摘 要：文章以AT29C010A为例，介绍了ATMEL 29系列大容量闪速存储器的结构、特点、性能及使用方法，结合实际应用详细说明了AT29C010A在工业智能检测仪器中的硬件接口和软件编程注意事项。 关键词：闪速存储器；接口；AT29C010A；数据保护 引言 FLASH存储器是一种电擦除与再编程的快速存储器，又称为闪速存储器。它可以分为两大类：并行FLASH和串行FLASH。串行

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：222208
    • 提供者：weixin_38566318

  1. 闪速存储器AT29C040与单片机的接口设计

  2. 摘要：介绍了Atmel公司的新一代大容量快闪存储器AT29C040的使用方法，并以笔者开发的某测试仪器为例，给出了实际应用的硬件电路及软件设计。 关键词：快闪存储器；数据轮询；数据保护；单片机接口 中图分类号：TP334.7 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2003)05-0075-04 1 引言 自1984年第一块闪速存储器问世以来，闪速存储器就以其EPROM的可编程能力和EEPROM的电可擦除性能，以及在线电可改写特性而得到了广泛的应用和发展。随着制造工艺和

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：92160
    • 提供者：weixin_38551938

  1. 闪速存储器技术现状及发展趋势

  2. 摘要 主要介绍闪速存储器的特点、技术分类及其发展趋势,其中包括闪速存储器的制造工艺、供电、读写操作、擦除次数、功耗等性能比较。 　　关键词 闪速存储器 NOR技术 DINOR技术 NAND技术 UltraNAND技术 一、  闪速存储器的特点 　　闪速存储器（Flash Memory）是一类非易失性存储器NVM（Non-Volatile Memory）即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息；而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失。 　　Flash Mem

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-07
    • 文件大小：234496
    • 提供者：weixin_38727087

  1. 闪速存储器AT29C010A及其应用

  2. 摘 要：文章以AT29C010A为例，介绍了ATMEL 29系列大容量闪速存储器的结构、特点、性能及使用方法，结合实际应用详细说明了AT29C010A在工业智能检测仪器中的硬件接口和软件编程注意事项。 　　关键词：闪速存储器；接口；AT29C010A；数据保护 引言 　　FLASH存储器是一种电擦除与再编程的快速存储器，又称为闪速存储器。它可以分为两大类：并行FLASH和串行FLASH。串行产品能节约空间和成本，但存储量小，又由于是串行通信，所以速度较慢，开发编程较复杂；并行产品具有

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：81920
    • 提供者：weixin_38689223

  1. 闪速存储器的研究与进展

  2. 摘  要 80年代中期以来，EPROM的容量每两年翻一番。通用E2PROM与EPROM相比，具有价格低、擦除简单等优点，但由于每个存储单元有两只晶体管，开发大容量E2PROM是非常困难的。用2um工艺制作的两管E2PROM的最大容量为64kb。Masupka等人利用只有1只晶体管的E2PROM单元和新的擦除/编程电路技术及高速灵敏度放大器，于1987年报道了第一块256kb闪速E2PROM(即闪速存储器)。之所以称为闪速，是因为它能同时、快速地擦除所有单元。表1比较了第一块闪速存储器与EPROM

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：121856
    • 提供者：weixin_38723513

  1. 闪速存储器行业报告：3D+NAND国产替代

  2. 数据存储离不开存储器，存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。在电子产品中， 所有信息都是通过组合“0”或“1”的方式进行表达，而存储器则是存储这些电信号的 地方。通过判断存储器断电后数据是否依旧被保存来区分这两种存储器。易失去性存储 器（Volatile Memory, VM）在断电后数据随即丢失，静态随机存取存储器(SRAM）和动 态 随 机 存 取 存 储 器 (DRAM) 是 VM 中 两 种 具 备 代 表 性 的 产 品 。 非 易 失 性 存 储 器 （Non-volatile M

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-22
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38628990
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